ADS5560IRGZR是一個(gè)高性能的16位adc家族，采樣率高達(dá)80msps。該設(shè)備支持非常高的信噪比輸入頻率在第一奈奎斯特區(qū)。該設(shè)備包括一個(gè)低頻噪聲抑制模式，將噪聲從直流提高到約1兆赫。
ADS5560IRGZR設(shè)備還提供了一些靈活的功能，如輸出接口(雙數(shù)據(jù)速率[DDR] LVDS或并行CMOS)和1-dB級的精細(xì)增益，直到6-dB級的最大增益。
ADS5560IRGZR創(chuàng)新的技術(shù)，如DDR LVDS和內(nèi)部參考，不需要外部去耦電容器，已被用來實(shí)現(xiàn)顯著節(jié)省針數(shù)。這一創(chuàng)新導(dǎo)致一個(gè)緊湊的7毫米×7毫米48引腳VQFN包。
ADS5560IRGZR設(shè)備置于外部參考模式，其中VCM引腳充當(dāng)外部參考輸入。對于電源很重要的應(yīng)用，ADS556x設(shè)備提供了電源關(guān)閉模式和低采樣率的自動(dòng)電源縮放。
ADS5560IRGZR設(shè)備指定的工業(yè)溫度范圍為-40°C到85°C。
特性
16位分辨率
最大采樣率:
ADS5562: 80議員
ADS5560: 40議員
總功率:
865兆瓦，每小時(shí)80兆瓦
功率674毫瓦，功率40毫瓦
沒有缺失的代碼
高信噪比:84 dBFS (3 MHz IF)
SFDR: 85 dBc (3 MHz IF)
低頻噪聲抑制方式
可編程的精細(xì)增益，1分貝的步驟，直到
6分貝最大增益
雙數(shù)據(jù)速率(DDR) LVDS和并行
CMOS輸出選項(xiàng)
內(nèi)部和外部參考支持
3.3 v模擬和數(shù)字電源
完全符合ADS5547家族
48-VQFN封裝(7.00 mm×7.00 mm)
制造商：Texas Instruments
說明：
模數(shù)轉(zhuǎn)換器- ADC 16B 40MSPS Low Power ADC
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADC
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: ADS5560
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/ 箱體: VQFN-48
分辨率: 16 bit
通道數(shù)量: 1 Channel
接口類型: Parallel
采樣比: 40 MS/s
輸入類型: Differential
結(jié)構(gòu): Pipeline
模擬電源電壓: 3.3 V
數(shù)字電源電壓: 3 V to 3.6 V
SNR – 信噪比: 84.3 dB
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
特點(diǎn): High Performance
高度: 0.9 mm
長度: 7 mm
轉(zhuǎn)換器數(shù)量: 1 Converter
輸出類型: LVDS
功耗: 674 mW
寬度: 7 mm
商標(biāo): Texas Instruments
參考類型: External, Internal
DNL - 微分非線性: +/- 3 LSB
ENOB - 有效位數(shù): 13.5 Bit
INL - 積分非線性: +/- 8.5 LSB
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 3.3 V
Pd-功率耗散: 810 mW
產(chǎn)品類型: ADCs - Analog to Digital Converters
SFDR - 無雜散動(dòng)態(tài)范圍: 90 dB
SINAD - 信噪和失真率: 83.2 dB
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: Data Converter ICs
單位重量: 138 mg
