深圳市大唐盛世半導(dǎo)體有限公司
手 機：17727572380（程R) 。13008842056(張R）
電 話：0755-83226739
Q Q:626839837。3160836686
IGN0912L500 ： L波段航空電子晶體管-GaN。公司優(yōu)勢庫存。
GaN on SiC HEMT技術(shù)
POUT-PK = 500W @ 444 X 7uS ON，6us OFF / 22.7％DC / 50V
0.96-1.22GHz瞬時工作頻率范圍
內(nèi)部阻抗預(yù)匹配器件
耗盡模式設(shè)備
要求負柵極電壓和偏置排序
指定用于AB級操作下
陶瓷環(huán)氧蓋密封的金屬基包裝
金金屬化系統(tǒng)：芯片-引線鍵合-封裝
包裝尺寸：W = 1.340英寸（34.04mm），L = 0.540英寸（13.72mm）
100％高功率射頻在寬帶射頻測試治具中測試
公司優(yōu)勢庫存：
IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
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IGN1011M800
IGN1011L1000
IGN1011L1200
IGN1030M40
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IGN1030L800
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IGN1090M800
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ILD1011L200HV
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