制造商：Vishay Semiconductors
客戶編號:
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說明：
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:詳細(xì)信息
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-23-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:3.1 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:112 mOhms
Vgs -柵極-源極電壓:4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV
Qg-柵極電荷:10 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.6 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:TrenchFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:SI2
晶體管類型:1 P-Channel
商標(biāo):Vishay Semiconductors
正向跨導(dǎo)-最小值:9.5 S
下降時(shí)間:10 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:35 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
典型接通延遲時(shí)間:11 ns
零件號別名:SI2301CDS-GE3
單位重量:8 mg
