TLC272CDR雙精度運算放大器組合了多種運算放大器輸入偏置電壓等級為低偏置電壓漂移，高輸入阻抗，低噪音和速度接近于通用BiFET設備。
TLC272CDR芯片These設備 使用Texas Instruments silicongate LinCMOStechnology,提供
偏置電壓穩(wěn)定遠遠超過穩(wěn)定可與傳統(tǒng)的金屬柵工藝配套使用。極高的輸入阻抗，極低的偏置
電流和高轉(zhuǎn)化率使這些有效的設備成為以前應用的理想選擇用于BiFET和NFET產(chǎn)品。四個
可提供偏移電壓等級(c后綴和I-suffix類型)，范圍從低成本的TLC272CDR(10 mV)高精度TLC277(500μV)。這些優(yōu)點，結(jié)合起來很好共模抑制和電源電壓拒絕，使這些設備成為一個很好的選擇最新的藝術設計，以及升級現(xiàn)有的設計
削減補償電壓:
TLC272CDR…500μV Max 25°C,
VDD = 5v
輸入偏置電壓漂移
0.1μV /月,包括第一個30天
電源電壓范圍寬
指定的溫度范圍:
0°C到70°C…3v到16v
-40°C到85°C…4v到16v
-55°C到125°C…4v到16v
單電源操作
共模輸入電壓范圍
延伸到負軌以下(c后綴，
I-Suffix類型)
低噪音……一般為25 nV/√Hz at
f = 1千赫
輸出電壓范圍包括負極
鐵路
高輸入阻抗…1012年ΩTyp
靜電保護電路
小輪廓包選項也
可在磁帶和卷軸
中的任一種封閉免疫力
