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RT9080N-08GJ5
SR2100
CXT5401
2SD1782
MMBT3906T / SOT-523
PZTA44，TO-223
MBR0520-R2
BZX84C18
MMBD7000 M5C
VS-1EFH02HM3/I
BZT52C7V5
BZX84C10 SOT23
BZT52C16
MM3Z3V6T1G SOD-323
TLC5615CDR
X9C102S
MMBZ27VCLT1 SOT23
MM3Z5V6T1G SOD-323
BAS21 SOT23
1N4148WSF-7 SOD-323
BC846BLT1 SOT23
STM32F072CBT6
STM32F101VFT6TR
STM32F030C8T6
STM32F207VGT6
STM32F405VGT6
STM32F207VGT6
STM32F101VFT6TR
STM32F072CBT6
BAT54S,215 SOT-23
FMMT591
BC846BLT1 SOT23
MMBT5401LT1G SOT-23
SMMBT4403LT1G SOT-23
SMMBT5551LT1G QS-SOT23
MMBT7002 SOT-23
DAC7311IDCKR
商品目錄 數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片
工作電壓 2 V~5.5 V
輸出類型 Voltage-Buffered
D/A 位數(shù) 12
讀寫接口類型 SPI,DSP
D/A通道數(shù) 1
參考類型 Supply
TLC7528CDWRG4
TLC7528
位數(shù)：8
Number of D/A Converters：2
建立時間：100μs
輸出類型：Current - Unbuffered
Differential Output：無
數(shù)據(jù)接口：并聯(lián)
參考類型：外部
電壓 - 電源，模擬：5 V ~ 15 V
電壓 - 電源，數(shù)字：5 V ~ 15 V
INL/DNL (LSB)：±0.5（最大），±0.5（最大）
架構(gòu)：R-2R
工作溫度：0°C ~ 70°C
封裝/外殼：20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：20-SOIC
MCP4725A0T-E/CH
類型：DAC，數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片
廠家：Microchip
分辨率：12bit
工作電壓：2.7V-5.5V
工作電流：400uA max.
接口：I2C
工作溫度：-40゜C ~ +125゜C
封裝：SOT23-6
差分非線性（DNL）：正負0.2 LSB
地址位：A0
內(nèi)置EEPROM，掉電可存儲CODE
中文名 轉(zhuǎn)換器芯片 外文名 converter chip 分 類 A/D轉(zhuǎn)換器芯片和D/A轉(zhuǎn)換器芯片 應(yīng)用領(lǐng)域 計算機、數(shù)據(jù)庫等 主要參數(shù) 模擬輸出、工作方式等 工作方式 單緩沖、多緩沖等
目錄
1 產(chǎn)品資料
2 產(chǎn)品功能
3 工作方式
4 工作原理
5 產(chǎn)品分類
產(chǎn)品資料編輯
DAC0832是8位D/A轉(zhuǎn)換芯片，如圖lo一5所示。其片內(nèi)具有雙輸入緩沖，電流形式輸出，所需建立時間為lMs，功耗為20mW。 [2]
產(chǎn)品功能編輯
D0～D7：輸入數(shù)據(jù)線。
ILE：允許輸入鎖存信號，ILE=1，允許鎖存。
LE1，LE2：輸入寄存器的鎖存信號，當(dāng)LE1=1時，8位輸入寄存器的輸出隨輸入變化；當(dāng)LE1=0時，數(shù)據(jù)鎖存在8位輸入寄存器。能否進行D/A轉(zhuǎn)換，還取決于LE2。當(dāng)LE2=1時，數(shù)據(jù)送到8位DAC寄存器的輸出，當(dāng)LE2=0時，數(shù)據(jù)鎖存在8位DAC寄存器中，并開始D/A轉(zhuǎn)換。
CS：片選信號，低電平有效。
WR1：輸入寄存器寫選通信號，低電平有效。當(dāng)ILE=1且CS為低，WR1由低電平到高電平跳變時，數(shù)據(jù)被鎖存到8位輸入寄存器。
XFER數(shù)據(jù)傳送控制信號，低電平有效。
WR2： DAC寄存器寫選通信號，低電平有效。
當(dāng)XFER為低，WR2由低電平到高電平跳變時，數(shù)據(jù)被鎖存到8位DAC寄存器，啟動D/A轉(zhuǎn)換。
Iout1：DAC輸出電流1。
Iout2：DAC輸出電流2。
Rfb ：反饋信號輸入線，為外部放大器提供一個反饋電壓，Rm可由內(nèi)部提供，也可以采用外接電阻的方式。
Vrtf： 參考電壓輸人線，范圍為一10V～+10V。
Vcc： 電源線，一般為+5V～+15V。
AGND模擬地。
DGND數(shù)字地。
AGND與DGND這是兩種不同性質(zhì)的地，應(yīng)單獨連接。一般情況下，這兩種地最后只有一點接在一起，以提高抗干擾的能力。
工作方式編輯
DAC0832片內(nèi)具有雙輸入緩沖，它有三種工作方式。
①單緩沖。此方式用于一路或多路模擬量非同步輸出的情況。實現(xiàn)時使兩個寄存器中的一個直通，另一個受控。
②雙緩沖。此方式用于多路模擬量同步輸出的情況，實現(xiàn)時使兩個寄存器都受控，先分別使多路DAC0832的8位輸入寄存器接收數(shù)據(jù)，再控制多路DAC0832同時將數(shù)據(jù)傳送到DAC寄存器，以實現(xiàn)多路模擬量的同步輸出。
③直通。此方式適用于連續(xù)反饋控制線路中，使ILE、CS、WR1、WR2、XFER都有效。
模擬輸出
①單極性輸出。DAC0832是電流型輸出，如要求電壓輸出，只要外接一個運算放大器即可，如圖所示。
圖中Iout2接地，Iout1接放大器的反相輸入端，故輸出電壓U與參考電壓Vrcf一反相。當(dāng)Vrcf接一5V時，輸出電壓范圍是o～+5V。
②雙極性輸出。在單極性電路的基礎(chǔ)上，加上一級放大器．就構(gòu)成雙極性電壓輸出，如右圖。
工作原理編輯
DAC1210是12位D/A轉(zhuǎn)換芯片，片內(nèi)具有雙輸入緩沖，電流輸出，引腳/內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。與DAC0832不同，除了數(shù)據(jù)線多了4位外，多了一個高低位選擇信號B1/B2，該信號為高電平時選擇8位輸入寄存器，低位寄存器不受B1/B2控制。因此在寫入12位數(shù)據(jù)時，應(yīng)使用雙緩沖方式，即第一次寫入高8位數(shù)據(jù)，第二次寫入低四位數(shù)據(jù)。
轉(zhuǎn)換時間指A/D轉(zhuǎn)換器完成一次轉(zhuǎn)換所需的時間。
產(chǎn)品分類編輯
ADC0809的結(jié)構(gòu)和主要指標(biāo)
ADC0809是8位逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換器，如圖所示，有一個8位的逐次
逼近式A/D轉(zhuǎn)換器、8路模擬開關(guān)、地址鎖存與譯碼邏輯等。芯片內(nèi)有8路模擬開關(guān)，可選擇8個模擬量輸入。
主要指標(biāo)
分辨率——8位。
轉(zhuǎn)換時間——100υs。
時鐘頻率——典型值640kHz(10kHz～1280kHz)。
總不可調(diào)誤差——±1 LSB。
模擬量輸入范圍——0～+5V。
工作溫度——一40～+85℃。
具有鎖存控制的8路模擬開關(guān)。
輸出具有三態(tài)緩沖器，易與微機相連。
輸出具有三態(tài)緩沖器，易與微機相連。
引腳
ADC0809的引腳如圖10一18所示。
IN7～IN0：8路模擬輸入信號。
ADDA、ADDB、ADDC：地址選擇。
ALE：地址鎖存信號，正跳變地址鎖存。
START：啟動轉(zhuǎn)換信號，該信號的上升沿清除內(nèi)部寄存器，下降沿啟動A/D開始轉(zhuǎn)換。
EOC：轉(zhuǎn)換結(jié)束信號，轉(zhuǎn)換結(jié)束輸出一個寬為8個CLK周期的正脈沖。
OE：輸出允許信號，高電平轉(zhuǎn)換結(jié)果送數(shù)據(jù)線。
VREF+、VREF-：基準(zhǔn)電壓。
D0～D7：8位三態(tài)數(shù)據(jù)輸出線。
CLK：轉(zhuǎn)換時鐘。一般640kHz。
Vcc：電源+5V。
工作時序
ADC0809的工作時序如圖所示。由START信號的一個正脈沖啟動A/D轉(zhuǎn)換，上升沿后的2υs加8個時鐘周期后，EOC信號將變低，指示轉(zhuǎn)換正在進行中，轉(zhuǎn)換結(jié)束后EOC變?yōu)楦唠娖健?br />
AD574A的結(jié)構(gòu)和主要指標(biāo)
AD574A是12位逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換器，如圖所示，它包括
一個12位的D/A轉(zhuǎn)換器、基準(zhǔn)電源、逐次逼近寄存器、轉(zhuǎn)換控制電路、時鐘、總線接口和高性能比較器。
主要指標(biāo)如下
分辨率——12位。
轉(zhuǎn)換時間——25υs。
非線性誤差——AD574AJ為±1LSB，AD574AK為±1/2LSB。
模擬量輸入范圍——0～+10V，0～+20V，±5V，±10V。
功耗——典型值為390mW。
基準(zhǔn)電源——內(nèi)部有高精度參考電壓，只需外接一個合適的電阻。
接口——內(nèi)有輸出三態(tài)緩沖器，可直接與8位或16位微處理器接口。
引腳
AD574A的引腳
DB11~DB0：12位數(shù)字量輸出。
10Vin：模擬量10V量程輸入。
20Vin：模擬量20V量程輸入。
BIP：雙極性偏置，當(dāng)接地時，選擇單極性接法；如果使用雙極性接法，則應(yīng)將其接到一個電位器的一端，電位器的另一端接Rout。
CS：片選信號，低電平有效。
CE：芯片允許信號，高電平有效。
A0：選擇轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)長度，在啟動時，A0=0，表示進行12位轉(zhuǎn)換；A0=1，表示進行8位轉(zhuǎn)換。在讀數(shù)據(jù)時，A0=0表示讀高8位；A0=1表示讀低4位。
R/C：讀/啟動轉(zhuǎn)換信號，低電平時表示啟動轉(zhuǎn)換；高電平時表示輸出數(shù)據(jù)。
12/8：選擇數(shù)據(jù)輸出格式，當(dāng)12/8=1時，表示讀取12位數(shù)據(jù)，當(dāng)12/8=0時，表示按高8位加低4位的方式，分兩次讀取數(shù)據(jù)。
STS：輸出狀態(tài)信號，轉(zhuǎn)換開始時變?yōu)楦唠娖�，轉(zhuǎn)換期間保持高電平．轉(zhuǎn)換結(jié)束變?yōu)榈碗娖健?br /> Rin和Rout：參考電壓輸入和輸出端。一般在二者之間接一個100Ω的電阻或電位器。
RGA220M1HBK-0511
WIW1028 3386P型
3296W/X/Y/P/Z
WIW1012(3006P)
WIW3269W/X/P多圈玻璃釉電位器
WIW1036(3323/P/U/R）
WIW1028(3386P/W/X/C)
WIW1028(3386長軸F/Y/R/
WJ14螺桿非線繞預(yù)調(diào)玻璃釉電位器
WIW3329H/P/X/S
WIW1015(3266W/X/P/Y
WIW3082P型預(yù)調(diào)玻璃釉電位器
WIW3362P/X/U/R/S型
WIW3009(93PR型）玻璃釉電位
RGA101M1CBK-0511
EDG110S
EDG110SRA
ESP1010臺灣百容 ECE
藍色EDS107SZ
EPS108AZ
EPS108SZ
V12P10-M3/86A
FH34S-8S-0.5SH(50)
HEF4046
HEF4049
HEF4053
AO2301
AO3401
AO3415
UC3842
UC3843
TD2822
AM2359P-T1-PF
NT1742-B4B5 DFN-8L
LD1117S33
LD1117SADJ
LM1117-1.8
LM1117-2.5
LM1117--3.3
LM1117-ADJ
NCV1117ST33T3G
NCV1117STAT3G
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NCV1117ST18T3G
NCV1117STADJ
FDMC6683
8205
DW07
LP4060
AT24C02
AT24C08
AT24C32
78M06
78M08
78M10
78M12
AXT524124
RU7080R TO-220
STM8L151K6T6
AXT624124
T5551-N7 SOT-23
SFH-1412A
AMS1117-3.3
LD1117S18TR
LD1117S25
7806
7809
LM324
LM339
AS339
UC3842
UC3843
74HC00
74HC04
74HC08
74HC14
74HC164
74HC4052
74HC4053
CD4046
CD4049
CD4050
CD4052
CD4069
CD4093
CD4045
CD4011
STM32F427IIH6
STM32F100VBT6B
STM32F205VCT6
STR751FR2T6
STM32F429IET6.
STM32F427IIT6
N32916U1DN
NUC123SD4ANO
N32926U1DN
NCT3521U
NUC140LE3CN
NUC505DL13Y
CS51414EDR8G
W55FL95DDN
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HIP4082IBZT
ICL7660CBAZ-T
ISL59110IEZ-T7
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X9C103PIZ
X9C104PIZ
ISL6208CBZ-T
EAD102EZ
BQ24103ARHLR
DS90C385AMTX
BCT4222C
TS-1100
CM3652C3WZ
MP1542DK-LF-Z
MC-146
ACT8937QJ11C-T
MW269V3：1000
LPW5202B5F
ALM-1412-TR1G
BRCM4319
MT6616RN/B
MMC3140MS
TXB0104ZXUR
EMB20P03V
RB521S-30FJTE61
XR2204
BCM4751IUBG
SGM3140YD10G/TR
AW6332QNR
VC7810E
AP33-Z-A3
RM3110018Y0000
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PCMEE031B-R47MS
LM2596R-ADJ
"LMSP33CB-465
"
LM2596S-ADJ
MS90C385
TY8A0A111151KC
88PM8607-BIX2
88PG8211A2-NXS2C000-T
88PM8606-NNY2
MT6161AN/C
MT6253ASN/B
U.FL-R-SMT-1(10)
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B-XH0414HOARII02E
MT5921A/A
PM7540-000
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TV00570002CDGB
PF38F3050M0Y0CE
DSPGS500D
VWLAN7102EB
ADXL345BCCZ-RL7
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SKY77524-15
RF3161BTR13
SPM0204HE5-PB-6
SN3726JIR1
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AXK7L10227G
AXK6803K7YG
AXT520120
FH19C-6S-0.5SH(05)
AXT530124
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145602024000829H+
AXK724147G
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245602024050829+
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AXK6F20347YG
20374-040E-31
245602024000829+
145602024000829+
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AXK6F20347YG
AXK5F20547YG
AXK6F60347YG
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MT6513TMV/B
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RF7161TR13-3K
RF7180TR13
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MT6513TMV/B
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RDA5868E
BCT3222ETB-TR
AW9364QNR
KXTE9-1050
SGM4914CYTQ
MT29C1G56MAUZJC-75
SC2712A
RTR6285A-0-137CSP-TR-01-0
RDA5802E
OVM7692-RYAA
SR3500
TPS80032A2F7YFFR
AW6302QNR
SKY77709
MT6236A/C
SKY77518-21
SKY77336-13
RDA6231
MT6517A/C
EMIF08-V1D01F2
RTC6667
88PM8607D0
88CP920-A1
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AR7643-LF
MT6235BA/H
KXTJ2-1009
25LQ128YIG
RPF88162B
MSM-8225-0-576NSP
M36W0R6050U4ZS
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QSD3TW-8220-TR
SKY77547-11
SKY77551-81
SKY77344-11
NTTFS3A08PZTWG
D2037
CUC5810
BCM4330FKUBG
SKY13404-466LF
TQM7M5012
SE2528L-R
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B39901-B9431-M410-S05
B7921
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B9432
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HS2525-F0918ANT/LF
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NJG1155UX2
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AW-NH387
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2.54MM貼片撥碼開關(guān)ESD系列
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ESP1010
導(dǎo)讀:宏旺半導(dǎo)體ICMAX宣布大規(guī)模生產(chǎn)單顆8GB LPDDR4X，這是業(yè)內(nèi)首家量產(chǎn)。LPDDR4X 8GB量產(chǎn)表明ICMAX產(chǎn)品線日漸豐富完善，現(xiàn)提供全面先進的嵌入式存儲產(chǎn)品，為搭載8GB移動dram和512GB存儲的智能手機新時代提供更高性能，相信LPDDR4X 8GB上市后將對現(xiàn)有的手機市場造成強有力沖擊。新的存儲方案具有比多數(shù)手機運行更高的存儲容量，使用戶能夠充分體驗大存儲時代的便利，不用再擔(dān)心手機系統(tǒng)提醒“存儲空間不足”。
如今，中國正在各個半導(dǎo)體領(lǐng)域切入自己的力量，破除國外壟斷，包括CPU微處理器、NAND閃存、OLED屏幕面板等等，DRAM內(nèi)存也是時候了。
中國芯片設(shè)計公司兆易創(chuàng)新近日發(fā)布公告，宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團）有限公司（簡稱合肥產(chǎn)投）于10月26日簽署了《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》。
雙方約定，將在安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)合作開展300mm晶圓（12英寸）、19nm工藝存儲器的研發(fā)項目，包括DRAM內(nèi)存顆粒。
智能手機中，除了芯片是更新?lián)Q代的大件，手機內(nèi)存也是在每一年都會迎來新變化ICMAX即將推出的LPDDR4X 8GB想必大家都不會陌生，LPDDR（Low Power Double Data Rate），通俗說的就是低功耗移動內(nèi)存，廣泛運用于手機、平板、智能后視鏡、vr、廣告播放機、POS機等移動電子產(chǎn)品中。手機端它就是手機運行內(nèi)存（Ram），PC端的內(nèi)存通常我們簡稱為DDR，因此二者其實原理一樣，但尺寸形態(tài)不同。
LPDDR4X并非是LPDDR4的下一代版本內(nèi)存，可以看作是LPDDR4的省電優(yōu)化版本。ICMAX LPDDR4X 8GB移動存儲器可提供每秒34.1GB的數(shù)據(jù)傳輸速率，同時最大限度地降低DRAM容量增加所帶來的功耗增加。相較于LPDDR4，ICMAX LPDDR4X在功耗降低了10-20%，手機運行發(fā)熱度降低，提高了手機的續(xù)航能力，待機時間更長，極大提高了手機使用體驗。要知道手機功耗要降低1%，在性能優(yōu)化上要投數(shù)倍的努力，就是靠著對極致的追求，ICMAX才能在技術(shù)要求十分苛刻的存儲芯片領(lǐng)域深耕十五年，不斷前進推出新產(chǎn)品，走在行業(yè)前列。
與LPDDR4相比，LPDDR4X內(nèi)存頻率達到了2133MHz，且宏旺半導(dǎo)體ICMAX LPDDR4X在單顆容量達到了8GB，業(yè)界這樣規(guī)格的產(chǎn)品還不多見，更難得的是宏旺半導(dǎo)體實現(xiàn)了量產(chǎn)。我們都知道LPDDR頻率越高，內(nèi)存的運行速度更快，ICMAX LPDDR4X內(nèi)存頻率達到2133MHz，并且在大容量加持下，存儲速度上更具有優(yōu)勢，在運行超大游戲，或是錄制4K視頻的時候作用非常明顯，功耗更低，運行更快也更省電。
不過需要注意的是，不是所有的手機都能用LPDDR4X內(nèi)存，它對手機處理器有一定要求，因此也只有一些中高端機搭載。對于智能手機用戶而言，8GB DRAM可以在超大型高分辨率屏幕上瀏覽應(yīng)用程序，從而實現(xiàn)更流暢的多任務(wù)處理和更快速的搜索。宏旺半導(dǎo)體ICMAX不止在LPDDR4X上走在行業(yè)前列，LPDDR5也在量產(chǎn)規(guī)劃中，
