TPS73501QDRBRQ1低壓降(LDO)，低功耗線性穩(wěn)壓器系列產(chǎn)品能夠提供出色的交流性能，同時還能保證極低的接地電流�？商峁└唠娫匆种票�(PSRR)、低噪聲、快速啟動以及出色的線路和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)，同時消耗極低的46μA（典型值）接地電流。
TPS73501QDRBRQ1系列器件與陶瓷電容器搭配使用時可保持穩(wěn)定，并且該器件使用先進(jìn)的BiCMOS制造工藝，能夠在輸出500mA輸出電流時產(chǎn)生280mV的典型壓降。TPS735-Q1系列器件使用一個精度電壓基準(zhǔn)和反饋環(huán)路來實現(xiàn)2%的整體精度（包括全部負(fù)載、線路、過程和溫度變化，VOUT > 2.2V）。該系列器件的額定TA為 –40°C至125°C，采用薄型3mm×3mm VSON封裝。
TPS73501QDRBRQ1內(nèi)部電流限制有助于在故障情況下保護(hù)調(diào)節(jié)器。在限流,輸出源:與輸出電壓基本無關(guān)的固定數(shù)量的電流。運行可靠,不要在限流時間內(nèi)操作設(shè)備。
TPS73501QDRBRQ1的設(shè)備使用一個PMOS通過晶體管來實現(xiàn)低dropout。當(dāng)(VIN - VOUT)是
低于dropout電壓(VDO)，PMOS通過器件在線性區(qū)域的操作和PMOS通過元件的輸入輸出電阻(R(in /OUT))。由于PMOS的存在，VDO隨輸出電流的變化而變化器件的行為就像一個電阻在dropout。
TPS73501QDRBRQ1系列設(shè)備穩(wěn)定性能良好，無輸出負(fù)載。符合指定的精度，最小負(fù)荷為500 a。如果溫度低于500華氏度，且結(jié)溫接近125攝氏度，則該地區(qū)的溫度將會下降輸出可以漂移到足以導(dǎo)致輸出下拉鍵打開。輸出下拉限制電壓漂移到5%(典型地)但是地電流可以增加大約50兆赫。在大多數(shù)應(yīng)用程序中，連接不需要能在輕負(fù)荷下達(dá)到高溫，因為耗散的功率很小。因此，指定的地面電流是有效的在空載在大多數(shù)應(yīng)用。
適用于汽車電子應(yīng)用
具有符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果：
器件溫度1級：–40°C至125°C的環(huán)境工作溫度范圍
器件HBM ESD分類等級2
器件CDM ESD分類等級C4B
輸入電壓：2.7V至6.5V
帶EN引腳的500mA低壓降穩(wěn)壓器
低IQ：46μA
提供了多個輸出電壓版本：
1V至4.3V固定輸出
1.25V至6V可調(diào)節(jié)輸出
高PSRR：1kHz頻率下為68dB
低噪聲：13.2μVRMS
快速啟動時間：45μs
與低ESR 2μF輸出電容器一起工作時保持穩(wěn)定
出色的負(fù)載和線路瞬態(tài)響應(yīng)
2%的總體精度
（負(fù)載、線路、溫度，VOUT > 2.2V）
低壓降：500mA時為280mV
3mm×3mm VSON-8封裝
