製造商:
Diodes Incorporated
產(chǎn)品類(lèi)型:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)資料
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝/外殼:
SOT-523-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù):
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
20 V
Id - C連續(xù)漏極電流:
630 mA
Rds On - 漏-源電阻:
400 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 6 V, + 6 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 :
500 mV
Qg - 閘極充電:
736.6 pC
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 150 C
Pd - 功率消耗 :
280 mW
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
產(chǎn)品:
MOSFET Small Signal
系列:
DMG1012
晶體管類(lèi)型:
1 N-Channel
品牌:
Diodes Incorporated
下降時(shí)間:
12.3 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:
MOSFET
上升時(shí)間:
7.4 ns
原廠包裝數(shù)量:
3000
子類(lèi)別:
MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間:
26.7 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間:
5.1 ns
每件重量:
2 mg
