描述：FDA59N30
FDA59N30：功率MOSFET，N長度，UniFETTM，300V，59A，56mΩ，TO-3PUniFETTM MOSFET是基于平面條紋和DMOS技術(shù)的高壓MOSFET系列。此MOSFET適用于降低導(dǎo)通電阻，提供更佳的開關(guān)性能以及更高的雪崩能量強度。此器件系列適用于開關(guān)電力轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率 系數(shù)校正（PFC），平板顯示屏（FPD）電視電源，ATX和電子燈鎮(zhèn)流器。
特性：FDA59N30
RDS（on）=56mΩ（續(xù)）@ VGS = 10V，ID = 29.5A
低濃縮甲醛（典型值77nC）
低Crss（典型值80pF）
100％經(jīng)過雪崩擊穿測試
該產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用程序。
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3PN-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 300 V
Id-連續(xù)漏極電流: 59 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 56 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 100 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 20.1 mm
長度: 16.2 mm
系列: FDA59N30
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 200 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 575 ns
工廠包裝數(shù)量: 450
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 120 ns
典型接通延遲時間: 140 ns
零件號別名: FDA59N30_NL
單位重量: 6.401 g
