IRF7509TRPBF

製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: Micro-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數(shù): 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 2.7 A
Rds On - 漏-源電阻: 200 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 700 mV
Qg - 閘極充電: 7.8 nC, 7.5 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 1.25 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.11 mm
長度: 3 mm
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
寬度: 3 mm
品牌: Infineon / IR
互導(dǎo) - 最小值: 1.9 S, 0.92 S
下降時間: 5.3 ns, 9.3 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns, 12 ns
原廠包裝數(shù)量: 4000
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時間: 12 ns, 19 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時間: 4.7 ns, 9.7 ns
每件重量: 25.540 mg