描述：EM638165TS-6G
4M x 16位同步DRAM（SDRAM）
EM638165 SDRAM是高速CMOS包含64 Mbits的同步DRAM。在內部配置為4個1M word x 16 DRAM的存儲同步接口（所有信號都注冊在時鐘信號的上升沿CLK）。閱讀和對SDRAM的寫訪問是面向突發(fā)的；訪問從所選位置開始，然后繼續(xù)已編程位置中的已編程數(shù)量序列。訪問從注冊一個地址開始銀行激活命令，然后跟隨一個讀或寫命令。 EM638165提供可編程的讀或寫突發(fā)長度為1，2，4，8，或整頁，帶有突發(fā)終止選項。汽車可以啟用預充電功能以提供自定時在行末開始的行預充電突發(fā)序列。自動或自動刷新功能自我刷新易于使用。通過可編程模式寄存器，系統(tǒng)可以選擇最合適的模式以使其性能最大化。這些設備是非常適合需要高內存的應用帶寬，特別適合高性能PC應用程序。
特征：EM638165TS-6G
從時鐘快速訪問的時間：4.5 / 5.4 / 5.4 ns
最快時鐘頻率：200/166/143 MHz
完全同步運行
內部流水線架構
1M字x 16位x 4組
可編程模式寄存器
-CAS延遲：2或3
-突發(fā)長度：1、2、4、8或整頁
-突發(fā)類型：順序或交錯
-突發(fā)停止功能
-可選的驅動強度控制
自動刷新和自我刷新
4096個刷新周期/ 64ms
CKE掉電模式
+ 3.3V0.3V單電源
工作溫度：TA = 0〜70°C
接口：LVTTL
54引腳4億塑料TSOP II封裝
-無鉛和無鹵素
54球8.0 x 8.0 x 1.2mm（最大）FBGA封裝
-無鉛和無鹵素
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