描述：IS43DR16640C-25DBLI
ISSI的1Gb DDR2 SDRAM使用雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)實現(xiàn)高速運行。的雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)本質(zhì)上是4n預(yù)取架構(gòu)，其接口設(shè)計為可傳輸兩個
I / O球上每個時鐘周期的數(shù)據(jù)字。
特征：IS43DR16640C-25DBLI
•Vdd = 1.8V±0.1V，Vddq = 1.8V±0.1V
•JEDEC標(biāo)準(zhǔn)1.8V I / O（與SSTL_18兼容）
•雙倍數(shù)據(jù)速率接口：兩次數(shù)據(jù)傳輸
每個時鐘周期
•差分?jǐn)?shù)據(jù)選通（DQS，DQS）
•4位預(yù)取架構(gòu)
•片上DLL以對齊DQ和DQS過渡
與CK
•8個內(nèi)部銀行可同時運行
•可編程CAS延遲（CL）3、4、5、6和7
支持的
•發(fā)布CAS和可編程的附加延遲
（AL）支持0、1、2、3、4、5和6
•寫延遲=讀延遲-1 tCK
•可編程突發(fā)長度：4或8
•數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動強度可調(diào)，滿載
降低強度的選擇
•片上終止（ODT）
選件
•配置：IS43DR16640C-25DBLI
128Mx8（16Mx8x8個存儲區(qū)）：IS43 / 46DR81280C
64Mx16（8Mx16x8個存儲區(qū)）：IS43 / 46DR16640C
•包裝：
x8：60球BGA（8mm x 10.5mm）
x16：84球WBGA（8mm x 12.5mm）
•時間-周期時間
2.5ns @ CL = 5 DDR2-800D
2.5ns @ CL = 6 DDR2-800E
3.0ns @ CL = 5 DDR2-667D
3.75ns @ CL = 4 DDR2-533C
5ns @ CL = 3 DDR2-400B
• 溫度范圍：IS43DR16640C-25DBLI
商業(yè)（0°C≤Tc≤85°C）
工業(yè)（-40°C≤Tc≤95°C; -40°C≤Ta≤85°C）
汽車，A1（-40°C≤Tc≤95°C; -40°C≤Ta≤85°C）
汽車，A2（-40°C≤Tc; Ta≤105°C）
Tc =外殼溫度，Ta =環(huán)境溫度
制造商:IS43DR16640C-25DBLI
ISSI
產(chǎn)品種類:
動態(tài)隨機存取存儲器
RoHS:
詳細(xì)信息
類型:
SDRAM - DDR2
封裝 / 箱體:
BGA-84
系列:
IS43DR16640C
商標(biāo):
ISSI
濕度敏感性:
Yes
產(chǎn)品類型:
DRAM
工廠包裝數(shù)量:
209
子類別:
Memory & Data Storage
