NTD4963NT4G正品原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
NTD4963NT4G封裝：TO-252
NTD4963NT4G批號：20+
NTD4963NT4G品牌：ON/安森美
以下為公司現(xiàn)貨庫存，歡迎來電咨詢！
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制造商:
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-252-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續(xù)漏極電流:
44 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
13.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2.5 V
Qg-柵極電荷:
8.1 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
35.7 W
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
系列:
NTD4963N
晶體管類型:
1 N-Channel
商標(biāo):
ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值:
40 S
下降時(shí)間:
3 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
20 ns
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
14 ns
典型接通延遲時(shí)間:
12 ns
單位重量:
4 g
三星手機(jī)內(nèi)存上半年獨(dú)霸全球，華為禁令可能對業(yè)界帶來沖擊
來源：鉅亨網(wǎng)作者：時(shí)間：2020-10-16 11:16
三星手機(jī)內(nèi)存芯片
根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)報(bào)告，2020 年上半年南韓三星電子在智能型手機(jī)的內(nèi)存市場上獨(dú)霸全球。而美國的華為禁令則可能對業(yè)界帶來沖擊。
《韓聯(lián)社》周四 (15 日) 報(bào)導(dǎo)，根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu) Strategy Analytics 的調(diào)查報(bào)告，從營收市占來看，在 2020 年 H1 的智能型手機(jī)內(nèi)存市場，南韓三星電子以 49% 的市占率維持冠軍地位。
名次排在三星之后的，是規(guī)模較小的南韓 SK 海力士，以及美國的美光科技。
以產(chǎn)品區(qū)分，2020 年 H1 三星在智能型手機(jī)所使用的 DRAM 營收市占高達(dá) 54%，遠(yuǎn)高于 SK 海力士的 24%，以及美光的 20%。
在智能型手機(jī)所使用的 NAND Flash 市場方面，三星的營收市占也有 43%。跟在后頭的是營收市占 22% 的日本鎧俠 (Kioxia，原本的東芝內(nèi)存)，以及營收市占 17% 的 SK 海力士。
根據(jù) Strategy Analytics ，2020 年 H1 智能型手機(jī)的內(nèi)存芯片市場合并營收達(dá) 192 億美元。單就 Q2 表現(xiàn)來看，營收年增 3% 至 97 億美元。
Strategy Analytics 的資深分析師 Jeffrey Mathews 表示，撇開硬件需求，智能型手機(jī)的內(nèi)存市場營收有所成長，受益于高密度內(nèi)存芯片出貨量，和半導(dǎo)體價(jià)格回溫。
基于季節(jié)性因素，還有具備更大容量及訪問速度更快的內(nèi)存芯片需求，Strategy Analytics 預(yù)測智能型手機(jī)的內(nèi)存市場將持續(xù)增長。
然而研究人員也補(bǔ)充，美國的華為禁令可能對內(nèi)存供貨商帶來不良影響。
