MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A正品原裝進口現(xiàn)貨
MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A封裝：BGA100
MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A批號：20+
MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A品牌：MICRON/美光
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制造商:
Micron Technology
產(chǎn)品種類:
NAND閃存
RoHS:
詳細信息
系列:
MT29F
封裝:
Tray
產(chǎn)品:
NAND Flash
商標:
Micron
產(chǎn)品類型:
NAND Flash
子類別:
Memory & Data Storage
意法半導體與臺積電攜手合作，提高氮化鎵產(chǎn)品市場采用率
來源：華強電子網(wǎng)作者：時間：2020-02-25 10:09
意法半導體臺積電合作
橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST; 紐約證券交易所代碼:STM)與世界上最大的專業(yè)半導體代工企業(yè)臺積電攜手合作，加快氮化鎵（GaN）工藝技術(shù)的開發(fā)以及GaN分立和集成器件的供貨。通過此次合作，意法半導體創(chuàng)新的戰(zhàn)略性氮化鎵產(chǎn)品將采用臺積電領(lǐng)先業(yè)界的GaN制造工藝。
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，與傳統(tǒng)的硅功率半導體相比，優(yōu)勢十分明顯，例如，在大功率工作時能效更高，使寄生功率損耗大幅降低。氮化鎵技術(shù)還可以設(shè)計更緊湊的器件，讓目標應用具有更好的外形尺寸。此外，氮化鎵器件的開關(guān)速度是硅器件的10倍，同時工作峰值溫度更高，這些穩(wěn)健強大的材料特性使氮化鎵非常適合不斷發(fā)展的100V和650V區(qū)間的汽車、工業(yè)、電信和特定消費類等各種應用領(lǐng)域。
具體而言，與基于相同拓撲的硅技術(shù)相比，功率氮化鎵和氮化鎵IC技術(shù)將讓意法半導體能夠為客戶提供能效更好的中高功率應用解決方案，包括混動和電動汽車的功率轉(zhuǎn)換器和充電器。功率氮化鎵和氮化鎵IC技術(shù)將有助于推動乘用車和商用車電動化的大趨勢迅速發(fā)展。
意法半導體汽車與分立器件事業(yè)部總裁Marco Monti表示：“作為要求苛刻的汽車和工業(yè)用寬帶隙半導體技術(shù)和功率半導體領(lǐng)域的領(lǐng)導者，意法半導體看好加快氮化鎵工藝技術(shù)的開發(fā)交付，把功率氮化鎵和氮化鎵IC產(chǎn)品推向市場，所帶來的巨大機會。臺積電是值得信賴的代工合作伙伴，唯有他們才能滿足意法半導體目標客戶嚴格的可靠性和開發(fā)規(guī)劃的獨特要求。這個合作項目補充了我們在法國圖爾工廠生產(chǎn)與CEA-Leti合作開發(fā)的功率氮化鎵的產(chǎn)能。氮化鎵是功率和智能功率電子產(chǎn)品以及工藝技術(shù)的下一個重大創(chuàng)新。”
臺積電業(yè)務開發(fā)副總裁張曉強（Kevin Zhang）博士說：“我們期待與意法半導體合作把氮化鎵功率電子技術(shù)帶入工業(yè)和汽車功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應用中。臺積電領(lǐng)先業(yè)界的氮化鎵制造專業(yè)技術(shù)，結(jié)合意法半導體的產(chǎn)品設(shè)計和汽車級認證資質(zhì)，將大幅提高工業(yè)和汽車用電源轉(zhuǎn)換能效，使其變得更加節(jié)能環(huán)保，并有助于加快汽車電動化進程�！�
意法半導體預計將在今年稍晚向主要客戶交付首批功率氮化鎵分立器件的樣片，幾個月后再交付氮化鎵IC產(chǎn)品。
