LM2575D2T-5R4G正品原裝進口現(xiàn)貨
LM2575D2T-5R4G封裝：TO-263
LM2575D2T-5R4G批號：20+
LM2575D2T-5R4G品牌：ON/安森美
以下為公司現(xiàn)貨庫存，歡迎來電咨詢！
TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ， IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ；
MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ， TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ，
MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR , TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI421T ,
MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR ,
PCM1808PWR , TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2G , MC14053BDTR2G , MBRD640CTT4G, TPS7A4001DGNR , TPS7A7001DDAR ,
CS6N70 ,STM32F101VCT6 , XMC1302-T038X0032AB , SC16IS752IBS , PESD5V0X1BCSFYL , BSS131H6327, AW9523BTQR , NSR0530HT1G ,
BSC067N06LS3GATMA1 , MC33078DR2G, BZX384-B5V6，115 , AAT4610IGV-1-T1, 0603ESDA2-TR2 , IRLMS6802TRPBF, AMS1117-5.0V ,
ZXM64N035GTA , RN1317 , IPD600N25N3G , BL5372 , AD9514BCPZ-REEL7 , BQ24314ADSGR , TPS61220DCKR , LM3478MMX , TAS5754MDCAR ,
XC3S50A-4FT256C , TS321QDBVRQ1 , DRV8870DDAR , EPM7128AETC144-7 , EPF10K130EF1484-2 , EP1S80F1020C6 ,
XC4VFX20-10FFG672C , XC4VFX20-10FFG672I , XC5VSX50T-1FFG665I , XC2VP40-6FF1152I , XC5VLX155T-1FFG1136I,
XC7K325T-2FFG900I , XC3S100E-TQG144, XC5VFX100T-2FFG1738I,XC4VFX20-10FF672I , XC3S1600R-4FG320I, AP4306BTTR-G1 ,
SN74LVU04ADBR,BSC057N06 , TS321QDBVRQ1 ,MC79M12CDTRKG,TAS5754MDCAR ,MC79M12CDTRKG, MC79M12CDTRKG ,
PCM1808PWR , TAS5731MPHRR, TPS54202DDCR, TPA3130D2DAPR , TAS5782MDCAR , TPS5548DCAR , TPA3221DDVR, TLV320AIC3254IRHBR ,
TPA3118D2DAPR , PCM5141PWR ,PCM5100APWR.TW8819-NA2-CRT ，MC79M12CDTRKG ，EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ，
IGCM15F60GA ， EFM8SB20F32G-B-QFN24R，NAU8810YG ，MC79M12CDTRKG，TPS61089RNRR，TPA3116D2DADR ，
TPA3118D2DAPR ， N32926U1DN ，NUC972DF62Y/61Y ， NUC100RE3DN ， MINI58ZDE ， TLC5971RGER , BQ25619RTWR ,
TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI-421T , MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,
MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG , MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR , PCM1808PWR ,
TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2
制造商:
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:
開關(guān)穩(wěn)壓器
RoHS:
詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-263-5
輸出電壓:
5 V
輸出電流:
1 A
輸出端數(shù)量:
1 Output
最大輸入電壓:
40 V
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):
Buck
最小輸入電壓:
4.75 V
開關(guān)頻率:
52 kHz
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 125 C
系列:
LM2575
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
類型:
Charge Pump
商標(biāo):
ON Semiconductor
產(chǎn)品類型:
Switching Voltage Regulators
子類別:
PMIC - Power Management ICs
單位重量:
1.600 g
在效率這個大課題上 手機快充廠商都用了哪些法子？
來源：華強電子網(wǎng)作者：席安帝時間：2017-09-26 09:30
手機快充芯片
隨著視頻以及高耗電類手機應(yīng)用市場的快速發(fā)展，大屏以及高容量電池的智能手機日益成為市場剛需，手機快充市場呈現(xiàn)出暴漲態(tài)勢。據(jù)美國Energeous公司所披露的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，從2015-2019年，預(yù)計全球手機快充市場將以68%的復(fù)合年增長率高速前行，且在未來三年里，全球?qū)写蠹s一半的智能手機都會支持快速充電，而隨著近期iPhone8將支持快充的消息曝光，再度提升了市場對于快充技術(shù)大規(guī)模普及的信心，手機“快充化”的趨勢已不可阻擋。
而目前，快充行業(yè)已形成了百舸爭流之勢，其中的參與者不乏以高通、Dialog以及聯(lián)發(fā)科技為代表的芯片廠商，更有華為、OPPO、魅族和小米等智能手機企業(yè)。他們都在該領(lǐng)域布局多年，不斷的根據(jù)市場形勢的變化來開發(fā)新型的快充技術(shù)方案，以求在快充行業(yè)爆發(fā)點出現(xiàn)之前占領(lǐng)更多的市場份額。
Dialog公司發(fā)展和戰(zhàn)略高級副總裁Mark Tyndall
不過，想要在群雄鏖戰(zhàn)的快充市場站穩(wěn)腳跟，需首先從消費者的核心訴求出發(fā)，在基礎(chǔ)穩(wěn)固的局面下才能實現(xiàn)其他方面的逐個擊破，因此充電效率成為當(dāng)下各大快充方案廠商的首發(fā)戰(zhàn)場。Dialog公司發(fā)展和戰(zhàn)略高級副總裁Mark Tyndall在接受采訪時表示：“為了支持更長的續(xù)航時間以及更強的計算能力，智能手機電池的容量已逐步逼近4,000mAh，手機OEM廠商們也都在不斷尋找更為高效的充電方案來滿足這種新的市場發(fā)展需求。為此，我們推出了全新的電源轉(zhuǎn)換器IC系列--DA9318，能夠結(jié)合我們的RapidCharge AC/DC電源轉(zhuǎn)換芯片組為智能手機提供高達(dá)98%的電源轉(zhuǎn)換效率，使得系統(tǒng)的功率損耗降到最低，讓緊湊型消費類應(yīng)用變得更加節(jié)能，這是我們的關(guān)鍵優(yōu)勢。”
而高效的電源轉(zhuǎn)換能力需要仰仗創(chuàng)新的芯片架構(gòu)設(shè)計，Mark Tyndall進一步補充到：“與現(xiàn)有使用低電壓并讓充電電流直接通過電纜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不同，DA9318系列的設(shè)計允許采用標(biāo)準(zhǔn)的3A USB線纜來實現(xiàn)6A的充電電流，這不僅實現(xiàn)了功率的加倍，同時也大幅降低了快充的應(yīng)用成本達(dá)35%。在芯片設(shè)計層面上，我們采用了與以往不同的自適應(yīng)雙向通道設(shè)計方式來做保證，能夠使得如今的快充方案在適配器電壓達(dá)到6V-10V左右時，做到高達(dá)98%的電源轉(zhuǎn)換效率，極大的降低了功率的損耗，充分滿足高達(dá)4000mAh電池容量下的快速充電需求�！�
蘇州易能微電子科技有限公司CEO吳鈺淳
蘇州易能微電子科技有限公司CEO吳鈺淳也表示：“針對手機以及平板等移動設(shè)備的快充應(yīng)用市場，我們擁有EDP2520的單芯片解決方案，它是一款專為單節(jié)鋰電池供電設(shè)備而設(shè)計的高集成度開關(guān)模式電池充電及電源路徑管理系統(tǒng)，充電效率可以高達(dá)91%，OTG Boost的效率高達(dá)92%。其內(nèi)部集成的低阻電源路徑可有效優(yōu)化開關(guān)模式的工作效率、減少電池充電時間以及延長電池放電時的工作時間，因此能夠進一步提升充電速度。而且升降壓技術(shù)十分優(yōu)秀，不會出現(xiàn)市面上廣泛存在的燒MOS的現(xiàn)象�！�
不過，充電效率的提升并不只與芯片性能有關(guān)，電池電芯的不同也會產(chǎn)生一定的影響。據(jù)編者了解，如果手機電池想要很好的支持快充，對其功率等相關(guān)性能參數(shù)的要求很高。一款手機電池若想提升功率性能，就需要在電池整體的各個環(huán)節(jié)中下功夫，比如正負(fù)極材料、電導(dǎo)的內(nèi)阻、電解液、隔膜以及結(jié)構(gòu)設(shè)計等方面。而使用不同正負(fù)極和電解液材料的電芯，其功率密度、能量密度以及導(dǎo)電率等方面的性能也不盡相同，比如正負(fù)極方面就需要電導(dǎo)擁有低內(nèi)阻的特性等。
羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司設(shè)計中心也認(rèn)為：“大容量手機電池的充電速度很大程度上取決于電池電芯本身的特性，電池所采用的電芯種類不同，其在充電效率等方面的表現(xiàn)也不盡相同。因此，針對手機等單芯電池的充電應(yīng)用，我們專門開發(fā)了2Phase的降壓方案，內(nèi)置MOSFET的雙通道降壓DC/DC可以同時工作，最大可以做到5A的大電流充電。此外，我們也有外置MOSFET的方案，通過選用大電流的MOSFET，可以實現(xiàn)更大電流的快速充電�！�
綜上，可以發(fā)現(xiàn)無論是哪種快充方案，能夠提供的真實充電效率受制于多個方面，縱使芯片端能夠提供高效的充電能力，但如果手機電池不給力，也自然不能夠充分發(fā)揮快充方案的真實潛力。因此，站在用戶的角度來考慮，OPPO的一體化快充設(shè)計方案固然實用，但成本是其硬傷，也決定了其在未來的手機快充戰(zhàn)場上難以久遠(yuǎn)。而站在方案商的角度來看，如何綜合性的去優(yōu)化芯片端、電池端以及手機端在協(xié)同能力以及整體方案成本等多方面問題，才能真正推動快充技術(shù)的全面普及。
