描述：CSD18533Q5A
這款4.7mΩ，60V，SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中替代地降低功率損耗。
特性：CSD18533Q5A
超低Qg和Qgd
低熱阻
雪崩額定值
邏輯合理
無鉛鉛鍍層
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
無鹵素
小尺寸尺寸無引線（SON）5mm x 6mm塑料封裝
應(yīng)用范圍：CSD18533Q5A
直流-直流轉(zhuǎn)換
次級側(cè)同步整流器
電機(jī)控制
制造商:CSD18533Q5A
Texas Instruments
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
VSONP-8
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續(xù)漏極電流:
100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1.9 V
Qg-柵極電荷:
29 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
3.2 W
配置:
Single
商標(biāo)名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1 mm
長度:
6 mm
系列:
CSD18533Q5A
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.9 mm
商標(biāo):
Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:
122 S
下降時(shí)間:
2 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
5.5 ns
工廠包裝數(shù)量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
15 ns
典型接通延遲時(shí)間:
5.2 ns
