FDT3612

描述：FDT3612
FDT3612：N內(nèi)置，PowerTrench®MOSFET，100V，3.7A，120mΩ
此N MOSFET專為提高DC / DC轉(zhuǎn)換器的總效率而設(shè)計(jì)，可以使用同步開關(guān)PWM控制器，也可以使用傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器。 因此該MOSFET驅(qū)動(dòng)簡單，也更安全（即使在非常高的頻率下亦適當(dāng)），DC / DC電源設(shè)計(jì)具有更高的總體效率。

特性：FDT3612

3.7安，100伏
RDS（on）= 120mΩ@ VGS = 10 V
RDS（on）= 130mΩ@ VGS = 6 V
快速開關(guān)速度
低氟化甲醛（14nC常規(guī)值）
先進(jìn)的技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS（on）

采用廣泛使用的表面貼裝封裝，具有高功率和高電流處理能力

應(yīng)用：FDT3612
該產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用程序。
DC / DC轉(zhuǎn)換器
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)

FDT3612

制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 88 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PowerTrench
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.8 mm
長度: 6.5 mm
系列: FDT3612
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 3.5 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 11 S
下降時(shí)間: 4.5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 2 ns
工廠包裝數(shù)量: 4000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 23 ns
典型接通延遲時(shí)間: 8.5 ns
零件號別名: FDT3612_NL
單位重量: 112 mg