雙N溝道30V（D-S）MOSFET
•無(wú)鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET®功率MOSFET
•經(jīng)過(guò)100％的Rg和UIS測(cè)試
•符合RoHS指令2002/95 / EC
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 16 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Qg-柵極電荷: 62 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
系列: SI4
商標(biāo): Vishay Semiconductors
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類(lèi)別: MOSFETs
零件號(hào)別名: SI4922BDY-GE3
單位重量: 750 mg
