制造商：Vishay Semiconductors
說明：
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:詳細(xì)信息
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝/箱體:TO-220-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:5.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:540 mOhms
Vgs -柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:8.3 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:43 W
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
配置:Single
系列:IRF
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):Vishay Semiconductors
正向跨導(dǎo)-最小值:1.3 S
下降時間:9.4 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:16 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:15 ns
典型接通延遲時間:6.9 ns
單位重量:6 g
