描述：TK20A60W
MOSFET硅N溝道MOS（DTMOS）
1.應(yīng)用：TK20A60W
•開關(guān)穩(wěn)壓器
2.特點(diǎn)：TK20A60W
（1）低漏源導(dǎo)通電阻：RDS（ON）= 0.13
Ω（典型）
用于超級結(jié)結(jié)構(gòu)：DTMOS
（2）易于控制的門開關(guān)
（3）增強(qiáng)模式：Vth = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，I
D = 1 mA）
制造商:TK20A60W
Toshiba
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220FP-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續(xù)漏極電流:
20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
130 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3.7 V
Qg-柵極電荷:
48 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
45 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
DTMOSIV
封裝:
Tube
高度:
15 mm
長度:
10 mm
系列:
TK20A60W
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.5 mm
商標(biāo):
Toshiba
下降時間:
6 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
25 ns
工廠包裝數(shù)量:
50
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:
100 ns
典型接通延遲時間:
50 ns
單位重量:
6 g
