互補(bǔ)N和P通道20 V（D-S）MOSFET
標(biāo)記代碼：5
訂購(gòu)信息：
SI1016CX-T1-GE3（無(wú)鉛和無(wú)鹵素）
•TrenchFET®功率MOSFET
•高端開關(guān)
•輕松駕駛開關(guān)
•低偏移（錯(cuò)誤）電壓
•低壓運(yùn)行
•高速電路
•典型的ESD保護(hù)：
n通道900 V，p通道900 V（HBM）
•已通過100％汞測(cè)試
•物料分類：用于符合性的定義
應(yīng)用領(lǐng)域：SI1016CX-T1-GE3
•負(fù)載開關(guān)，小信號(hào)開關(guān)和電平轉(zhuǎn)換
開關(guān)
-電池操作系統(tǒng)
- 便攜的
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-89-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 350 mA, 500 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 396 mOhms, 756 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV
Qg-柵極電荷: 1.3 nC, 1.65 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 220 mW
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
系列: SI1
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
正向跨導(dǎo) - 最小值: 1 S, 2 S
下降時(shí)間: 8 ns, 11 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 10 ns, 16 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 10 ns, 26 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9 ns, 11 ns
單位重量: 3 mg
