一般說(shuō)明:FDC6321C
這些雙N＆P通道邏輯電平增強(qiáng)模式使用ON生產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)。這個(gè)非常高密度的過(guò)程尤其專(zhuān)為最小化導(dǎo)通電阻而設(shè)計(jì)。該設(shè)備具有專(zhuān)為低壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)替代負(fù)載開(kāi)關(guān)中的數(shù)字晶體管應(yīng)用程序。由于不需要偏置電阻，因此該雙數(shù)字FET可以用不同的偏置電阻。
特征:FDC6321C
絕對(duì)最大額定值TA= 25oC，除非另有說(shuō)明
符號(hào)參數(shù)N通道P通道單位
VDSS，VCC漏源電壓，電源電壓25 -25 V
VGSS，VIN柵極-源極電壓，8 -8 VID
，IO漏極/輸出電流-連續(xù)0.68 -0.46 A-脈沖2 -1.5
PD最大功耗（注1a）（注1b）0.9瓦0.7TJ，TSTG操作和存儲(chǔ)溫度范圍-55至150°C
ESD靜電放電等級(jí)MIL-STD-883D
人體模型（100pf / 1500歐姆）6千伏熱特性
RqJA熱阻，結(jié)至環(huán)境溫度（注1a）140°C / W
RqJC熱阻，結(jié)到外殼（注1）60°C / W
出版物訂單號(hào)：
FDC6321C / D
N-Ch 25 V，0.68 A，RDS（ON）= 0.45 W @ VGS = 4.5 V
P-Ch -25 V，-0.46 A，RDS（ON）= 1.1 W @ VGS = -4.5 V.
極低水平的柵極驅(qū)動(dòng)要求，允許直接
在3 V電路中運(yùn)行。 VGS（th）<1.0V。
柵源齊納二極管具有ESD耐用性。
> 6kV人體模型
更換多個(gè)雙NPN和PNP數(shù)字晶體管
制造商:FDC6321C
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類(lèi):
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-6
通道數(shù)量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
25 V
Id-連續(xù)漏極電流:
680 mA, 460 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
450 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
900 mW
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.1 mm
長(zhǎng)度:
2.9 mm
產(chǎn)品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDC6321C
晶體管類(lèi)型:
1 N-Channel, 1 P-Channel
類(lèi)型:
FET
寬度:
1.6 mm
商標(biāo):
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:
1.45 S, 0.8 S
下降時(shí)間:
8 ns, 9 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:
MOSFET
上升時(shí)間:
8 ns, 9 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:
3000
子類(lèi)別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
17 ns, 55 ns
典型接通延遲時(shí)間:
3 ns, 7 ns
零件號(hào)別名:
FDC6321C_NL
單位重量:
30 mg
