描述:STF14NM50N
這些器件是N溝道功率MOSFET使用第二代MDmesh™技術(shù)。 革命力量MOSFET將垂直結(jié)構(gòu)與公司的鋼帶布局產(chǎn)生了世界上最大的鋼帶布局之一最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。 它是因此適合最苛刻的高效率轉(zhuǎn)換器。
特征:STF14NM50N
•經(jīng)過100％雪崩測試
•低輸入電容和柵極電荷
•低柵極輸入電阻
應(yīng)用領(lǐng)域:STF14NM50N
•切換應(yīng)用
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220FP-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
500 V
Id-連續(xù)漏極電流:
12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
320 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Qg-柵極電荷:
27 nC
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
25 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
MDmesh
封裝:
Tube
系列:
STF14NM50N
晶體管類型:
1 N-Channel Power MOSFET
商標(biāo):
STMicroelectronics
下降時間:
22 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
16 ns
工廠包裝數(shù)量:
1000
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:
42 ns
典型接通延遲時間:
12 ns
單位重量:
330 mg
