描述：TK20A60U
東芝場效應(yīng)晶體管硅N溝道MOS型（DTMOS II開關(guān)穩(wěn)壓器應(yīng)用
•低漏源導(dǎo)通電阻：RDS（ON）= 0.165Ω（典型值）
•高前向傳輸導(dǎo)納：⎪Yfs⎪= 12 S（典型值）
•低泄漏電流：IDSS = 100μA（最大值）（VDS = 600 V）
•增強模式：Vth = 3.0至5.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
Toshiba
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220FP-3
通道數(shù)量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續(xù)漏極電流:
20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
30 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
45 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
DTMOSIV
封裝:
Tray
高度:
15 mm
長度:
10 mm
系列:
TK20A60U
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.5 mm
商標(biāo):
Toshiba
下降時間:
12 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
40 ns
工廠包裝數(shù)量:
50
子類別:
MOSFETs
