描述：EM6M2T2R
20V Nch + Pch小信號MOSFET
l特點：EM6M2T2R
l內(nèi)部電路
1）低導(dǎo)通電阻。
2）小包裝（VMT6）
3）低壓驅(qū)動（1.2V驅(qū)動）l適用卷盤尺寸（mm）180交換
ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-563-6
通道數(shù)量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續(xù)漏極電流:
200 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
1 Ohms, 1.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V, 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V, -1 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
150 mW
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
產(chǎn)品:
MOSFET Small Signal
系列:
EM6M2
晶體管類型:
1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET
商標(biāo):
ROHM Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值:
200 mS
下降時間:
10 ns, 17 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
10 ns, 4 ns
工廠包裝數(shù)量:
8000
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:
15 ns, 17 ns
典型接通延遲時間:
5 ns, 6 ns
零件號別名:
EM6M2
