設(shè)備概述:IS42S32400F-6TLI
128Mb SDRAM是高速CMOS，動態(tài)設(shè)計(jì)用于3.3V Vdd的隨機(jī)存取存儲器和3.3V Vddq存儲系統(tǒng)，包含134,217,728
位。內(nèi)部配置為四排DRAM，帶有一個同步接口。每個33,554,432位的存儲體被組織為4,096行乘256列乘32位。128MbSDRAM包含自動刷新模式，以及省電，掉電模式。所有信號都是在時(shí)鐘信號CLK的上升沿上寄存。所有輸入和輸出均兼容LVTTL。128Mb SDRAM具有同步爆發(fā)的能力自動列地址以高數(shù)據(jù)速率傳輸數(shù)據(jù)產(chǎn)生，在內(nèi)部銀行之間交錯的能力
隱藏預(yù)充電時(shí)間和隨機(jī)選擇的能力在此期間的每個時(shí)鐘周期更改列地址突發(fā)訪問。
特征:IS42S32400F-6TLI
•時(shí)鐘頻率：166、143、133 MHz
•完全同步；所有參考正時(shí)鐘邊沿的信號
•內(nèi)部銀行，用于隱藏行訪問/預(yù)付費(fèi)
•單電源：3.3V + 0.3V
•LVTTL接口
•可編程突發(fā)長度–（1、2、4、8，整頁）
•可編程突發(fā)序列：順序/交錯
•自動刷新（CBR）
•自我刷新
•每16毫秒（A2級）或64毫秒（商業(yè)，工業(yè)，A1級）4096個刷新周期
•每個時(shí)鐘周期的隨機(jī)列地址
•可編程的CAS延遲（2、3個時(shí)鐘）
•突發(fā)讀/寫和突發(fā)讀/單寫操作功能
•通過猝發(fā)停止和預(yù)充電命令終止猝發(fā)
選項(xiàng)
•封裝：86引腳TSOP-II90球TF-BGA
•工作溫度范圍：商業(yè)級（0oC至+ 70oC）工業(yè)級（-40oC至+ 85oC）汽車級，A1（-40oC至+ 85oC）汽車級，A2（-40oC至+ 105oC）
制造商:ISSI
產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
RoHS: 詳細(xì)信息
類型:SDRAM
數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit
組織:4 M x 32
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TSOP-86
存儲容量:128 Mbit
最大時(shí)鐘頻率:166 MHz
訪問時(shí)間:6.5 ns
電源電壓-最大:3.6 V
電源電壓-最小:3 V
電源電流—最大值:150 mA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
系列:IS42S32400F
封裝:Tray
商標(biāo):ISSI
濕度敏感性:Yes
工作電源電壓:3.3 V
產(chǎn)品類型:DRAM
工廠包裝數(shù)量:108
子類別:Memory & Data Storage
單位重量:560 mg
