功能概述：FM18W08-SGTR
FM18W08是32 K×8非易失性存儲器，其讀取和寫入操作與標準SRAM類似。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，這意味著在斷電后仍保留數(shù)據(jù)。它提供了超過151年的數(shù)據(jù)保留，同時消除了電池供電SRAM（BBSRAM）的可靠性問題，功能缺點和系統(tǒng)設(shè)計復雜性�？焖俚膶懭霑r序和較高的寫入耐久性使F-RAM優(yōu)于其他類型的存儲器。
FM18W08的操作與其他RAM器件的操作相似，因此可以用作系統(tǒng)中標準SRAM的直接替代品。最小讀寫周期時間相等。 F-RAM存儲器由于其獨特的鐵電存儲過程而具有非易失性。這些功能使FM18W08非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用。該器件采用28引腳SOIC表面貼裝封裝。在–40°C至+85°C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)保證器件規(guī)格。
特征：FM18W08-SGTR
邏輯組織為32 K×8的256 Kb鐵電隨機存取存儲器（F-RAM）
高耐用性100萬億（1014）讀/寫
151年數(shù)據(jù)保留（請參閱數(shù)據(jù)保留和持久性表）
NoDelay™寫道
先進的高可靠性鐵電工藝
低功耗
有功電流12 mA（最大）
待機電流20μA（典型值）
寬電壓操作：VDD = 2.7 V至5.5 V
工業(yè)溫度：–40°C至+85°C
28引腳小尺寸集成電路（SOIC）封裝
符合有害物質(zhì)限制（RoHS）
兼容SRAM和EEPROM
行業(yè)標準的32 K×8 SRAM和EEPROM引腳排列
存取時間70 ns，循環(huán)時間130 ns
優(yōu)于電池供電的SRAM模塊
無需擔心電池
單片可靠性
真正的表面貼裝解決方案，無需返工步驟
卓越的防潮，防震和防振性能
耐負電壓下沖
制造商:Cypress Semiconductor
產(chǎn)品種類:F-RAM
RoHS: 詳細信息
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOIC-28
存儲容量:256 kbit
接口類型:Parallel
組織:32 k x 8
電源電壓-最小:2.7 V
電源電壓-最大:5.5 V
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
系列:FM18W08-SG
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
訪問時間:70 ns
商標:Cypress Semiconductor
濕度敏感性:Yes
工作電源電壓:3.3 V
產(chǎn)品類型:FRAM
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:Memory & Data Storage
單位重量:2.215 g
