賽普拉斯半導(dǎo)體S25FL128S NOR閃存器件
賽普拉斯S25FL128S FL-S NOR是采用65nm MirrorBit技術(shù)的2.7V-3.6V / 1.65V-3.6V VIO伏閃存非易失性存儲(chǔ)器件。 128-Mb S25FL128S FL-S NOR使用帶有頁(yè)面編程緩沖區(qū)的Eclipse體系結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，允許用戶在一次操作中編程多達(dá)128個(gè)字（256字節(jié)），與上一代SPI編程或擦除相比，可實(shí)現(xiàn)更快的有效編程和擦除。算法。該設(shè)備通過(guò)串行外圍設(shè)備接口（SPI）連接到主機(jī)系統(tǒng)，并支持傳統(tǒng)的SPI一位串行輸入和輸出（單I / O或SIO），可選的兩位（雙I / O或DIO）和四位（ Quad I / O或QIO）串行命令。
作為FL-S系列的一部分，S25FL128S FL-S NOR提供對(duì)SIO，DIO和QIO的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）讀取命令的支持，這些命令可在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿上傳輸?shù)刂泛妥x取數(shù)據(jù)。通過(guò)QIO或DDR-QIO命令以支持的更高時(shí)鐘速率使用FL-S器件，指令讀取傳輸速率可以匹配或超過(guò)傳統(tǒng)的并行接口，異步，NOR閃存，同時(shí)大大減少了信號(hào)數(shù)量。 S25FL128S FL-S NOR具有高密度性能，并具有各種嵌入式應(yīng)用所需的靈活性和速度。賽普拉斯S25FL128S FL-S NOR是代碼陰影，XIP和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇。
特征：S25FL128SAGMFIR01
具有多功能I / O的CMOS 3.0 V內(nèi)核
具有多I / O的串行外圍設(shè)備接口（SPI）
SPI時(shí)鐘極性和相位模式0和3
雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）選項(xiàng)
擴(kuò)展尋址：24位或32位地址選項(xiàng)
串行命令集和封裝與S25FL-A，S25FL-K和S25FL-P SPI系列兼容
多I / O命令集和封裝與S25FL-P SPI系列兼容
讀取命令
普通，快速，雙路，四路，快速DDR，雙路DDR，四路DDR
自動(dòng)引導(dǎo)-上電或重置并在預(yù)先選擇的地址處自動(dòng)執(zhí)行“普通”或“四方讀取”命令
通用閃存接口（CFI）數(shù)據(jù)以獲取配置信息
編程（1.5 MB / s）
256或512字節(jié)頁(yè)面編程緩沖區(qū)選項(xiàng)
用于慢時(shí)鐘系統(tǒng)的四輸入頁(yè)面編程（QPP）
自動(dòng)ECC-內(nèi)部硬件糾錯(cuò)碼生成，帶單個(gè)糾錯(cuò)碼
清除（0.5至0.65 MB / s）
混合扇區(qū)大小選項(xiàng)-地址空間頂部或底部的32個(gè)4 KB扇區(qū)的物理集，其余所有扇區(qū)均為64 KB，以便與上一代S25FL器件兼容
統(tǒng)一扇區(qū)選項(xiàng)-始終擦除256 KB的塊，以實(shí)現(xiàn)與更高密度和未來(lái)設(shè)備的軟件兼容性
制造商:Cypress Semiconductor
產(chǎn)品種類:NOR閃存
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOIC-16
系列:S25FL128S
存儲(chǔ)容量:128 Mbit
最大時(shí)鐘頻率:133 MHz
接口類型:SPI
組織:16 M x 8
定時(shí)類型:Synchronous
數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit
電源電壓-最小:2.7 V
電源電壓-最大:3.6 V
電源電流—最大值:100 mA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
封裝:Tube
存儲(chǔ)類型:NOR
速度:133 MHz
結(jié)構(gòu):Eclipse
商標(biāo):Cypress Semiconductor
濕度敏感性:Yes
產(chǎn)品類型:NOR Flash
工廠包裝數(shù)量:47
子類別:Memory & Data Storage
商標(biāo)名:MirrorBit
單位重量:200.700 mg
