賽普拉斯半導體MirrorBit®NOR GL閃存設備
賽普拉斯MirrorBit®GL NOR閃存系列針對電壓，密度，每位成本，可靠性，性能和可擴展性需求進行了優(yōu)化。每個MirrorBit®存儲設備的密度從32MB至2GB，僅需一個3.0V電源即可實現(xiàn)讀寫功能。整個命令集與JEDEC Flash標準兼容。
MirrorBit®GL閃存設備系列支持通用封裝，可在所有密度下提供一個封裝。閃存還支持產(chǎn)品系列和處理技術。這使制造商可以根據(jù)功能來設計單一平臺和簡單擴展Flash存儲器的容量。
特征：S29GL032N90TFI040
65nmMirrorBit®Eclipse技術
用于讀取/編程/擦除的單電源（VCC）（2.7V至3.6V）
通用的I / O功能
寬的I / O電壓范圍（VIO）：1.65V至VCC
x16數(shù)據(jù)總線
異步32字節(jié)頁面讀取
512字節(jié)編程緩沖器
以頁面倍數(shù)編程，最大為512字節(jié)
同一單詞選項上的單個單詞和多個程序
扇區(qū)擦除
統(tǒng)一的128 KB扇區(qū)
65nmMirrorBit®Eclipse技術
用于讀取/編程/擦除的單電源（VCC）（2.7V至3.6V）
通用的I / O功能
寬的I / O電壓范圍（VIO）：1.65V至VCC
x16數(shù)據(jù)總線
異步32字節(jié)頁面讀取
512字節(jié)編程緩沖器
以頁面倍數(shù)編程，最大為512字節(jié)
同一單詞選項上的單個單詞和多個程序
扇區(qū)擦除
統(tǒng)一的128 KB扇區(qū)
暫停和恢復命令以進行編程和擦除操作
狀態(tài)寄存器，數(shù)據(jù)輪詢和就緒/忙碌引腳方法來確定設備狀態(tài)
高級部門保護（ASP）
每個部門的易失性和非易失性保護方法
具有兩個可鎖定區(qū)域的單獨的1024字節(jié)一次性程序（OTP）陣列
通用Flash接口（CFI）參數(shù)表
工業(yè)溫度范圍（-40°C至+ 85°C）
任何典型扇區(qū)的擦除周期為100,000次
典型的20年數(shù)據(jù)保留
制造商:Cypress Semiconductor
產(chǎn)品種類:NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TSOP-48
系列:S29GL032N
存儲容量:32 Mbit
接口類型:Parallel
組織:4 M x 8/2 M x 16
定時類型:Asynchronous
數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit/16 bit
電源電壓-最小:2.7 V
電源電壓-最大:3.6 V
電源電流—最大值:50 mA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
封裝:Tray
存儲類型:NOR
速度:90 ns
結構:Sector
商標:Cypress / Spansion
濕度敏感性:Yes
產(chǎn)品類型:NOR Flash
工廠包裝數(shù)量:96
子類別:Memory & Data Storage
單位重量:2.201 g
制造商:Cypress Semiconductor
產(chǎn)品種類:NOR閃存
RoHS: 詳細信息
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TSOP-48
系列:S29GL032N
存儲容量:32 Mbit
接口類型:Parallel
組織:4 M x 8/2 M x 16
定時類型:Asynchronous
數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit/16 bit
電源電壓-最小:2.7 V
電源電壓-最大:3.6 V
電源電流—最大值:50 mA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
封裝:Tray
存儲類型:NOR
速度:90 ns
結構:Sector
商標:Cypress / Spansion
濕度敏感性:Yes
產(chǎn)品類型:NOR Flash
工廠包裝數(shù)量:96
子類別:Memory & Data Storage
單位重量:2.201 g
