FQD10N20CTM

製造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 200 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 7.8 A
Rds On - 漏-源電阻: 360 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 26 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 50 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.39 mm
長(zhǎng)度: 6.73 mm
系列: FQD10N20C
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
品牌: ON Semiconductor / Fairchild
下降時(shí)間: 72 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 92 ns
原廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 70 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 11 ns
零件號(hào)別名: FQD10N20CTM_NL
每件重量: 260.370 mg