描述：STN1HNK60
這些高壓器件是齊納保護(hù)的N溝道功率MOSFET由意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）使用SuperMESH™技術(shù)開發(fā)，優(yōu)化完善的PowerMESH™。 除了重大這些器件旨在降低導(dǎo)通電阻，以確保高水平的dv / dt最苛刻的應(yīng)用程序的能力。
特性：STN1HNK60
•極高的dv / dt功能
•經(jīng)過100％雪崩測試
•柵極電荷最小化
應(yīng)用領(lǐng)域：STN1HNK60
•切換應(yīng)用
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-223-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:400 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.25 V
Qg-柵極電荷:7 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:3.3 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:SuperMESH
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.8 mm
長度:6.5 mm
系列:STN1HNK60
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:3.5 mm
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時間:25 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:5 ns
工廠包裝數(shù)量:4000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:19 ns
典型接通延遲時間:6.5 ns
單位重量:250 mg
