製造商:
Toshiba
產(chǎn)品類型:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)資料
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝/外殼:
D2PAK-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù):
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
40 V
Id - C連續(xù)漏極電流:
160 A
Rds On - 漏-源電阻:
1.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :
3 V
Qg - 閘極充電:
103 nC
最低工作溫度:
-
最高工作溫度:
+ 175 C
Pd - 功率消耗 :
205 W
通道模式:
Enhancement
資格:
AEC-Q101
封裝:
Cut Tape
封裝:
Reel
配置:
Single
系列:
U-MOSIX-H
晶體管類型:
1 N-Channel
品牌:
Toshiba
下降時(shí)間:
23 ns
濕度敏感:
Yes
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
14 ns
原廠包裝數(shù)量:
1000
子類別:
MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間:
82 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間:
47 ns
零件號(hào)別名:
TK1R5R04PB,LXGQ(O
每件重量:
1 g
TK1R5R04PB,LXGQ
發(fā)布時(shí)間:2021/3/10 9:26:00 訪問(wèn)次數(shù):222 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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