NTK3134NT1G正品原裝進口現(xiàn)貨
NTK3134NT1G封裝：SOT723
NTK3134NT1G批號：20+
NTK3134NT1G品牌：ON/安森美
以下為公司現(xiàn)貨庫存，歡迎來電咨詢！
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制造商:
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-723-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續(xù)漏極電流:
890 mA
Rds On-漏源導通電阻:
350 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
450 mV
Qg-柵極電荷:
-
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
550 mW
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
高度:
0.5 mm
長度:
1.2 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTK3134N
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
0.8 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
1.6 S
下降時間:
7.4 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
4.8 ns
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
17.3 ns
典型接通延遲時間:
6.7 ns
單位重量:
1.275 mg
35億！SiC、IGBT大角逐，功率芯片國產替代“換血”？
來源：華強電子網作者：June時間：2021-03-03 18:01
SiCIGBT功率芯片
今天，斯達半導體發(fā)布定增預案，擬非公開發(fā)行股票募資不超過35億元，其中20億元用于高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產業(yè)化項目；7億元用于功率半導體模塊生產線自動化改造項目。
資料來源：斯達半導體，華強電子網
隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，功率半導體器件已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C領域邁向新能源汽車、智能電網、變頻家電、軌道交通等諸多產業(yè)。市面上與電池能源轉換相關的功率半導體器件已經杯水車薪，未來只會更缺貨。
編者認為，高壓特色工藝功率芯片主要用于智能電網、軌道交通，以前可能只是在中低壓的IGBT，現(xiàn)在可能高壓也要做，目前國內3300V及以上的功率器件基本依賴進口，核心器件的國產化亟待解決。而SiC芯片及SiC功率器件在高端新能源汽車控制器中也需要大批量應用。
畢竟，早在兩年前，特斯拉的主逆變器已經開始采用SiC MOSFET方案，隨后博世、采埃孚等多家零部件制造商甚至比亞迪、 雷諾等整車生產商開始在部分產品中采用SiC MOSFET方案，SiC功率器件逐步成為掌上明珠。
因為，新能源汽車將新增大量與電池能源轉換相關的功率半導體器件，與Si（硅）基的IGBT 相比，SiC MOSFET在尺寸、功耗方面性能更加強悍。
雖然目前碳化硅功率器件市場規(guī)模僅在10億美元的量級，但受新能源汽車、光伏風電和充電樁等領域對于效率和功耗的要求，預計碳化硅功率器件5年后的市場規(guī)模將向100億美元級別邁進，年復合增速在40%左右。
不過，雖然碳化硅器件在驅動電容電阻領域的工藝及技術也逐步成熟，被認為是可以代替IGBT，但是成本較貴，從工藝上來看，碳化硅模塊的封裝工藝要求比IGBT模塊要求更高，斯達半導體也面臨著各種新的考驗。
總的來說，以上兩個項目，一個是關于更高端精細的功率芯片的，是從無到有的全新布局，需要通過新建廠房及倉庫等配套設施，購置光刻機、刻蝕機、顯影機、電子顯微鏡等一系列全產業(yè)設備，以實現(xiàn)從研發(fā)到產業(yè)化的目的。這當然是十分燒錢的，幾十億的成本估計也很快花完。
另一個則是利用現(xiàn)有廠房，對原有功率半導體模塊生產線，實施自動化升級改造，這就需要另外購置全自動劃片機、在線式全自動印刷機、貼片機、清洗機等設備。
不難發(fā)現(xiàn)，斯達半導體致力于 IGBT、快恢復二極管、SiC等功率芯片以及IGBT、SiC等功率模塊的設計、制造。高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片受下游多行業(yè)需求拉動，也帶來巨大的發(fā)展動力。
換言之，以上兩項投資既能提高斯達半導體IGBT、SiC模塊的產能瓶頸之余，又能進一步豐富其產品結構，有效整合產業(yè)資源，加快國產替代。
此前，國家先后印發(fā)了一系列鼓勵、支持性政策，推動支持SiC等第三代半導體材料的制造及技術的突破。另一方面，國務院去年底在最新出臺的《新能源汽車產業(yè)發(fā)展規(guī)劃》中指出，到2025年國內新能源汽車市場競爭力將明顯增強，銷量占當年汽車總銷量的25%左右。
另外，在新基建的產業(yè)背景下，諸多產業(yè)對功率半導體也產生了巨大的需求，再加上國產替代進程也在加速，目前國內已是全球最大的功率半導體市場，占據(jù)全球35%左右份額，功率半導體具有廣闊的市場前景。
不過，斯達半導體雖然緊跟政策步伐和市場浪潮，但目前其絕大部分產品為IGBT模塊，存在產品結構單一的風險。畢竟，若短期內出現(xiàn)各應用領域需求下降、市場拓展減緩等情況，對抗風險能力實在有限，而本次募投項目的投入、建設、運營存在一定周期，經濟效益難以立即體現(xiàn)，項目建成達產后，也將新增大量固定資產和研發(fā)投入，年均新增折舊、費用金額較大。
最新的數(shù)據(jù)顯示，去年全球新能源汽車總銷量已超過300萬輛，同比增長超過40%，未來隨著政策、技術、配套、消費習慣等因素的持續(xù)推動影響，達到1000萬輛級別的水平在幾年內應該能看到的。屆時，全球新能源汽車產業(yè)將面臨前所未有的發(fā)展機遇。
正因如此，今年以來，全球頭部科技公司已開始加快入局相關領域。不過，隨著市場普遍看好產業(yè)前景，IGBT 等功率器件的廣泛應用，雖然本行業(yè)的門檻較高，但部分國內友商也經過幾年的技術積累，包括國外大廠也在不斷蠶食市場資源。因此，綜合國內外市場情況，未來斯達半導體將會面臨較為激烈的市場競爭。
