描述：STW20NK50Z
此設(shè)備受N通道齊納保護功率MOSFET的開發(fā)使用
意法半導(dǎo)體的SuperMESH™技術(shù)，
通過優(yōu)化ST井實現(xiàn)的
建立基于條帶的PowerMESH™布局。 在
除了可以大大降低導(dǎo)通電阻之外，該器件還可以確保
最高的dv / dt能力
苛刻的應(yīng)用程序。
特征：STW20NK50Z
■極高的dv / dt功能
■經(jīng)過100％雪崩測試
■柵極電荷最小化
■極低的固有電容
切換應(yīng)用
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 270 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 85 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: SuperMESH
封裝: Tube
配置: Single
高度: 20.15 mm
長度: 15.75 mm
系列: STW20NK50Z
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): STMicroelectronics
下降時間: 15 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
工廠包裝數(shù)量: 600
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 70 ns
典型接通延遲時間: 28 ns
單位重量: 38 g
