描述:STD7NM80
這些器件是使用第二種器件開(kāi)發(fā)的N溝道功率MOSFET。一代MDmesh™技術(shù)。 這些革命性的功率MOSFET
將垂直結(jié)構(gòu)與公司的鋼帶布局相關(guān)聯(lián),以產(chǎn)生世界上最大的鋼結(jié)構(gòu)之一
最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。 因此,它們最適合
要求高效率的轉(zhuǎn)換器。
特征:STD7NM80
訂貨代碼VDS RDS(on)max。 ID
STD7NM80
800 V 1.05歐姆6.5 A
STD7NM80-1
STF7NM80
STP7NM80
•經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試
•低輸入電容和柵極電荷
•低柵極輸入電阻
•切換應(yīng)用
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 6.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.05 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 18 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 90 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.4 mm
長(zhǎng)度: 6.6 mm
系列: STD7NM80
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 6.2 mm
商標(biāo): STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值: 4 S
下降時(shí)間: 10 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 2500
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 35 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20 ns
單位重量: 4 g