描述：STB6NK90ZT4
這些高壓器件是齊納保護(hù)的N溝道功率MOSFET使用意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）的SuperMESH™技術(shù)開發(fā)的
優(yōu)化完善的PowerMESH™。 除了重大
這些器件旨在降低導(dǎo)通電阻，以確保高水平的dv / dt
最苛刻的應(yīng)用程序的功能。
特征：STB6NK90ZT4
訂貨代碼VDS RDS（on）max。 ID
STB6NK90ZT4
900 V 2歐姆5.8 A
STP6NK90Z
STP6NK90ZFP
STW7NK90Z
•極高的dv / dt功能
•經(jīng)過100％雪崩測試
•柵極電荷最小化
•齊納保護(hù)
•切換應(yīng)用
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 900 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 46.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: SuperMESH
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.6 mm
長度: 10.4 mm
系列: STB6NK90ZT4
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
類型: MOSFET
寬度: 9.35 mm
商標(biāo): STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值: 5 S
下降時間: 20 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 45 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
單位重量: 4 g
