描述：STP55NF06FP
這些功率MOSFET已開發(fā)使用意法半導(dǎo)體的獨(dú)特STripFET
過程，專門用于
最小化輸入電容和柵極電荷。 這個
使設(shè)備適合用作主要設(shè)備
切換用于電信和計(jì)算機(jī)的高級高效隔離式DCDC轉(zhuǎn)換器
應(yīng)用和低門應(yīng)用
充電駕駛要求。
特征：STP55NF06FP
■經(jīng)過100％雪崩測試
■出色的dv / dt功能
■切換應(yīng)用
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 15 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 44.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: STripFET
封裝: Tube
配置: Single
高度: 9.3 mm
長度: 10.4 mm
系列: STP55NF06FP
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 4.6 mm
商標(biāo): STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值: 18 S
下降時間: 15 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 50 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 36 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
單位重量: 2.040 g
