描述：2SC5200-O(Q)
東芝晶體管硅NPN三重?cái)U(kuò)散型特點(diǎn)：2SC5200-O(Q)
功率放大器應(yīng)用
•高擊穿電壓：VCEO = 230 V（最�。�
•補(bǔ)充2SA1943
•適用于100 W高保真音頻放大器的輸出級(jí)
制造商: Toshiba
產(chǎn)品種類: 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3P-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 230 V
集電極—基極電壓 VCBO: 230 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 5 V
集電極—射極飽和電壓: 0.4 V
最大直流電集電極電流: 15 A
Pd-功率耗散: 150000 mW
增益帶寬產(chǎn)品fT: 30 MHz
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: 2SC
封裝: Tray
直流電流增益 hFE 最大值: 160
高度: 26 mm
長(zhǎng)度: 20.5 mm
技術(shù): Si
寬度: 5.2 mm
商標(biāo): Toshiba
集電極連續(xù)電流: 15 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 55
產(chǎn)品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數(shù)量: 100
子類別: Transistors
單位重量: 6.800 g
