一般說(shuō)明：MT28EW128ABA1HPC-0SIT
該設(shè)備是異步，統(tǒng)一塊，并行NOR閃存設(shè)備。讀取，擦除和編程操作使用單個(gè)低壓電源執(zhí)行。上電后，設(shè)備默認(rèn)為讀取陣列模式。
主存儲(chǔ)器陣列分為統(tǒng)一的塊，可以獨(dú)立擦除這些塊，以便在清除舊數(shù)據(jù)時(shí)可以保留有效數(shù)據(jù)。程序和擦除
命令被寫入存儲(chǔ)器的命令接口。片上程序/
擦除控制器通過(guò)以下操作簡(jiǎn)化了編程或擦除存儲(chǔ)器的過(guò)程
注意更新內(nèi)存內(nèi)容所需的所有特殊操作。一個(gè)結(jié)束
可以檢測(cè)到PROGRAM或ERASE操作，并且可以識(shí)別任何錯(cuò)誤情況。控制設(shè)備所需的命令集與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)一致。
CE＃，OE＃和WE�？刂圃O(shè)備的總線操作，并實(shí)現(xiàn)與大多數(shù)微處理器的簡(jiǎn)單連接，而通常無(wú)需附加邏輯。
該設(shè)備支持異步隨機(jī)讀取和頁(yè)讀取的所有塊
數(shù)組。它還具有一個(gè)內(nèi)部程序緩沖區(qū)，可通過(guò)一個(gè)命令序列對(duì)512個(gè)字進(jìn)行編程，從而提高了吞吐量。 128字?jǐn)U展存儲(chǔ)塊與數(shù)組塊0的地址重疊。用戶可以對(duì)此附加空間進(jìn)行編程，然后
保護(hù)它以永久保護(hù)內(nèi)容。該設(shè)備還具有不同級(jí)別的功能
硬件和軟件保護(hù)，以保護(hù)塊免受不必要的修改。
特征：MT28EW128ABA1HPC-0SIT
•單層電池（SLC）工藝技術(shù)
•密度：128Mb
• 電源電壓
– VCC = 2.7–3.6V（編程，擦除，讀�。�
– VCCQ = 1.65-VCC（I / O緩沖器）
•異步隨機(jī)/頁(yè)面讀取
–頁(yè)面大小：16個(gè)字或32個(gè)字節(jié)
–頁(yè)面訪問(wèn)：20ns
–隨機(jī)存�。�70ns（VCC = VCCQ = 2.7-3.6V）
–隨機(jī)存取：75ns（VCCQ = 1.65-VCC）
•緩沖區(qū)程序（512字程序緩沖區(qū)）
–使用完整的緩沖程序時(shí)為2.0 MB / s（TYP）
–使用加速緩沖區(qū)時(shí)為2.5 MB / s（TYP）
程式（VHH）
•字/字節(jié)程序：每個(gè)字25us（TYP）
•塊擦除（128KB）：0.2s（典型值）
•記憶組織
–統(tǒng)一塊：每個(gè)128KB或64KW
– x8 / x16數(shù)據(jù)總線
•編程/擦除暫停和恢復(fù)功能
–在編程期間從另一個(gè)塊讀取
暫停操作
–在ERASE期間讀取或編程另一個(gè)塊
暫停操作
•解鎖旁路，塊擦除，芯片擦除和寫入
緩沖能力
•BLANK CHECK操作以驗(yàn)證擦除的塊
•循環(huán)冗余校驗(yàn)（CRC）操作
驗(yàn)證程序模式
•VPP / WP＃保護(hù)
–保護(hù)第一個(gè)或最后一個(gè)塊，無(wú)論哪個(gè)塊
保護(hù)設(shè)置
•軟件保護(hù)
–揮發(fā)性保護(hù)
–非易失性保護(hù)
–密碼保護(hù)
•擴(kuò)展內(nèi)存塊
– 128字（256字節(jié)）的塊，用于永久，安全
鑒定
–在工廠或由編程人員編程或鎖定
顧客
•符合JESD47
–每個(gè)塊100,000個(gè)（最小）ERASE周期
–數(shù)據(jù)保留：20年（TYP）
•包裝
– 56針TSOP，14 x 20mm（JS）
– 64球LBGA，11 x 13mm（PC）
– 56球VFBGA，7 x 9mm（PN）
•符合RoHS，無(wú)鹵素包裝
•工作溫度
–環(huán)境：–40°C至+ 85°C
制造商: Micron Technology
產(chǎn)品種類: NOR閃存
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LBGA-64
系列: MT28EW
存儲(chǔ)容量: 128 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 50 mA
接口類型: Parallel
組織: 16 M x 8/8 M x 16
數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit/16 bit
定時(shí)類型: Asynchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
速度: 70 ns
商標(biāo): Micron
電源電流—最大值: 50 mA
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: NOR Flash
工廠包裝數(shù)量: 1104
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 4.506 g
