描述：CSD18503Q5A
這款40 V，3.4mΩ，5×6 mm SON NexFET功率MOSFET旨在最大程度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。
產(chǎn)品特性：CSD18503Q5A
超低Qg和Qgd
低熱阻
雪崩等級(jí)
邏輯水平
無鉛端子電鍍
符合RoHS
無鹵素
SON 5 mm×6 mm塑料封裝
制造商:CSD18503Q5A
Texas Instruments
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
VSONP-8
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
40 V
Id-連續(xù)漏極電流:
121 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
4.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1.5 V
Qg-柵極電荷:
27 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
120 W
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
高度:
1 mm
長(zhǎng)度:
6 mm
系列:
CSD18503Q5A
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.9 mm
商標(biāo):
Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:
100 S
下降時(shí)間:
2.6 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
8.8 ns
工廠包裝數(shù)量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
15 ns
典型接通延遲時(shí)間:
4.5 ns
單位重量:
240 mg
