CSD25402Q3A

CSD25402Q3A



製造商: Texas Instruments
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: VSONP-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 76 A
Rds On - 漏-源電阻: 8.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 650 mV
Qg - 閘極充電: 7.5 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 125 C
Pd - 功率消耗 : 69 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.9 mm
長(zhǎng)度: 3.15 mm
系列: CSD25402Q3A
晶體管類型: 1 P-Channel Power MOSFET
寬度: 3 mm
品牌: Texas Instruments
下降時(shí)間: 12 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 7 ns
原廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 25 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 10 ns
每件重量: 27.800 mg