一般說明：GD32F350G6U6TR
GD32F350G6U6TR 器件屬于 GD32 MCU 系列的價值線。這是一個新的 32 位基于ARM® Cortex®-M4 RISC內(nèi)核的通用微控制器，在增強處理能力、降低功耗方面具有最佳性價比和外圍設(shè)備。 Cortex®-M4 內(nèi)核功能實現(xiàn)了一套完整的 DSP 指令以滿足需要高效、易于使用的控制組合的數(shù)字信號控制市場和信號處理能力。它還提供了強大的跟蹤技術(shù)以增強應(yīng)用程序安全性和高級調(diào)試支持。
GD32F350G6U6TR 器件集成了 ARM® Cortex®-M4 32 位處理器內(nèi)核，運行在 108 MHz 頻率下，閃存訪問零等待狀態(tài)以獲得最大效率。它提供高達 128 KB 的片上閃存和高達 16 KB 的 SRAM 存儲器。一個廣泛的連接到兩條 APB 總線的一系列增強型 I/O 和外圍設(shè)備。這些設(shè)備提供了一個12 位 ADC，一個 12 位 DAC 和兩個比較器，最多五個通用 16 位定時器，一個通用32 位定時器，一個基本定時器，一個 PWM 高級定時器，以及標準和高級定時通信接口：最多兩個 SPI、兩個 I2C、兩個 USART、一個 I2S、一個 HDMI-CEC、一個TSI 和 USBFS。該器件采用 2.6 至 3.6 V 電源供電，溫度范圍為 –40 至 +85 °C溫度范圍。幾種省電模式提供了最大程度的靈活性喚醒延遲和功耗之間的優(yōu)化，一個特別重要的低功率應(yīng)用中的考慮。上述特點使 GD32F350G6U6TR 器件適用于廣泛的應(yīng)用，特別是在工業(yè)控制、電機驅(qū)動、用戶界面、功率監(jiān)視器和警報系統(tǒng)、消費類和手持設(shè)備、游戲和 GPS、電動自行車等
功能說明：GD32F350G6U6TR
3.1 ARM® Cortex®-M4 內(nèi)核
ARM® Cortex®-M4 處理器是具有 DSP 的高性能嵌入式處理器
允許有效信號處理和復(fù)雜算法執(zhí)行的指令。帶來
一種高效、易于使用的控制和信號處理能力的結(jié)合，以滿足數(shù)字
信號控制市場需求。處理器是高度可配置的，可實現(xiàn)廣泛的
從那些需要內(nèi)存保護和強大的跟蹤技術(shù)的實現(xiàn)到
需要最小面積的成本敏感設(shè)備，同時提供出色的計算能力
性能和對中斷的高級系統(tǒng)響應(yīng)。
32 位 ARM® Cortex®-M4 處理器內(nèi)核
高達 108 MHz 的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
浮點單元 (FPU)
集成DSP指令
集成嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定時器
Cortex®-M4 處理器基于 ARMv7-M 架構(gòu)，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系統(tǒng)外圍設(shè)備也由
Cortex®-M4：GD32F350G6U6TR
內(nèi)部總線矩陣連接 ICode 總線、DCode 總線、系統(tǒng)總線、Private
外設(shè)總線 (PPB) 和調(diào)試訪問 (AHB-AP)
嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
閃存補丁和斷點 (FPB)
數(shù)據(jù)觀察點和跟蹤（DWT）
儀器跟蹤宏單元 (ITM)
串行線 JTAG 調(diào)試端口 (SWJ-DP)
跟蹤端口接口單元 (TPIU)
3.2 片上存儲器：GD32F350G6U6TR
高達 128 KB 的閃存
高達 16 KB 的 SRAM，帶硬件奇偶校驗
ARM® Cortex®-M4 處理器采用哈佛架構(gòu)，可使用
單獨的總線來獲取指令和加載/存儲數(shù)據(jù)。 128 KB 內(nèi)部閃存和 16
最多 KB 的內(nèi)部 SRAM 可用于存儲程序和數(shù)據(jù)，都可以訪問（R/W）
在 CPU 時鐘速度下，零等待狀態(tài)。表 2-2。 GD32F350G6U6TR 內(nèi)存映射顯示
GD32F350G6U6TR 系列器件的內(nèi)存映射，包括代碼、SRAM、外設(shè)和
其他預(yù)定義區(qū)域。
3.3 時鐘、復(fù)位和電源管理
內(nèi)部 8 MHz 工廠微調(diào) RC 和外部 4 至 32 MHz 晶振
內(nèi)部 48 MHz RC 振蕩器
內(nèi)部 28 MHz RC 振蕩器
內(nèi)部 40 KHz RC 校準振蕩器和外部 32.768 KHz 晶體振蕩器
集成系統(tǒng)時鐘鎖相環(huán)
2.6 至 3.6 V 應(yīng)用電源和 I/O
電源監(jiān)控器：POR（上電復(fù)位）、PDR（掉電復(fù)位）和低電壓
檢測器 (LVD)
時鐘控制單元 (CCU) 提供了一系列振蕩器和時鐘功能。這些
包括高速內(nèi)部RC振蕩器和外部晶體振蕩器，高速和低速
兩種類型。幾個預(yù)分頻器允許 AHB 和兩個 APB 的頻率配置
域。 AHB、APB2 和 APB1 域的最大頻率為 108 MHz/54
兆赫/54兆赫。參見圖 2-6。 GD32F350G6U6TR 時鐘樹，了解時鐘樹的詳細信息。
復(fù)位控制單元 (RCU) 控制三種復(fù)位： 系統(tǒng)復(fù)位 復(fù)位處理器
核心和外圍 IP 組件。上電復(fù)位 (POR) 和掉電復(fù)位 (PDR)
始終處于活動狀態(tài)，并確保從 2.6V 開始到 1.8V 正常運行。裝置
當 VDD i 時保持在復(fù)位模式s 低于指定的閾值。嵌入式低壓
檢測器 (LVD) 監(jiān)控電源，將其與電壓閾值進行比較并生成
中斷作為引導(dǎo) MCU 進入安全狀態(tài)的警告消息。
供電方案：GD32F350G6U6TR
VDD 范圍：2.6 到 3.6 V，I/O 和內(nèi)部穩(wěn)壓器的外部電源。
通過 VDD 引腳從外部提供。
VSSA、VDDA 范圍：2.6 至 3.6 V，ADC 的外部模擬電源、復(fù)位模塊、
RC 和 PLL。
VBAT 范圍：1.8 至 3.6 V，RTC 電源，外部時鐘 32 KHz 振蕩器和
當 VDD 不存在時備份寄存器（通過電源開關(guān)）。
3.4 啟動模式：GD32F350G6U6TR
啟動時，引導(dǎo)引腳用于選擇三個引導(dǎo)選項之一：
從主閃存啟動（默認）
從系統(tǒng)內(nèi)存啟動
從片上 SRAM 啟動
默認情況下，選擇從主閃存引導(dǎo)。引導(dǎo)加載程序位于
內(nèi)部引導(dǎo) ROM 存儲器（系統(tǒng)存儲器）。它用于重新編程閃存
通過使用 USART0（PA9 和 PA10）或 USART1（PA14 和 PA15）。
3.5 省電模式
MCU支持三種省電模式，實現(xiàn)更低的功耗
消費。它們是睡眠模式、深度睡眠模式和待機模式。這些操作
模式降低功耗并使應(yīng)用程序達到最佳平衡
CPU 運行時間、速度和功耗之間的關(guān)系。
睡眠模式：GD32F350G6U6TR
在睡眠模式下，只有 CPU 內(nèi)核的時鐘是關(guān)閉的。所有外圍設(shè)備繼續(xù)運行并且
任何中斷/事件都可以喚醒系統(tǒng)。
深度睡眠模式
在深度睡眠模式下，1.2V 域中的所有時鐘都關(guān)閉，所有高速
晶體振蕩器（IRC8M、HXTAL）和 PLL 被禁用。只有 SRAM 的內(nèi)容和
寄存器被保留。來自 EXTI 線路的任何中斷或喚醒事件都可以喚醒
系統(tǒng)從深度睡眠模式包括 16 條外線、RTC 報警、RTC
篡改和時間戳、CMP0/CMP1 輸出、LVD 輸出、USART 喚醒、CEC 喚醒
和 USB 喚醒。退出深度睡眠模式時，選擇 IRC8M 作為
系統(tǒng)時鐘。
待機模式：GD32F350G6U6TR
在待機模式下，整個 1.2V 域斷電，LDO 關(guān)閉，所有的
IRC8M、HXTAL 和 PLL 被禁用。 SRAM 和寄存器的內(nèi)容（除了
備份寄存器）丟失。待機模式有四個喚醒源，
包括來自 NRST 引腳的外部復(fù)位、RTC 警報、FWDGT 復(fù)位和
WKUP 引腳上的上升沿。
3.6 模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）：GD32F350G6U6TR
12 位 SAR ADC 轉(zhuǎn)換速率高達 2.86 MSPS
12 位、10 位、8 位或 6 位可配置分辨率
硬件過采樣率從 2 到 256x 可調(diào)，將分辨率提高到 16 位
輸入電壓范圍：VSSA 至 VDDA（2.6 至 3.6 V）
溫度傳感器
該器件集成了一個 12 位 2.86 MSPS 多通道 ADC。它共有 19 個
復(fù)用通道：16個外部通道，1個內(nèi)部溫度傳感器通道
(VSENSE), 1 通道用于內(nèi)部參考電壓 (VREFINT) 和 1 通道用于電池電壓
(VBAT)。輸入電壓范圍介于 VSSA 和 VDDA 之間。片上硬件過采樣
方案提高了性能，同時減輕了相關(guān)的計算負擔
中央處理器。模擬看門狗模塊可用于檢測通道，這些通道需要
保持在特定的閾值窗口內(nèi)。一個可配置的通道管理塊可以是
用于在單一、連續(xù)、掃描或不連續(xù)模式下執(zhí)行轉(zhuǎn)換以支持
更高級的使用。
ADC 可由通用 0 級定時器 (TIMERx) 生成的事件觸發(fā)
和具有內(nèi)部連接的高級定時器（TIMER0）。溫度傳感器可以
用于產(chǎn)生隨溫度線性變化的電壓。它在內(nèi)部連接到
ADC_IN16 輸入通道，用于將傳感器輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字
價值。
詳細參數(shù)：GD32F350G6U6TR
參數(shù)名稱 參數(shù)值
生命周期聯(lián)系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
訂貨包裝代碼 QFN28
包裝說明 QFN-28
達到合規(guī)代碼未知
風險等級 5.83
最大速度 (MHz) 108
內(nèi)存（字節(jié)） Flash 32K
內(nèi)存（字節(jié)） SRAM 6K
I/O 高達 24
定時器 GPTM（32 位）1
定時器 GPTM (16 位) 5
定時器高級 TM (16bit) 1
定時器基本 TM (16bit) 1
定時器 SysTick (24 位) 1
定時器 WDG 2
定時器 RTC 1
連通性 USART 2
連接 I2C 1
連接 SPI 1
連接 USB 2 FS OTG
連接 I2S 1
連通性 Comp 2
連接運算放大器
模擬接口 12 位 ADC 單元 (CH) 1(10)
模擬接口 12 位 DAC 單元 1
封裝 QFN28
以下物料均有現(xiàn)貨庫存：GD32F350G6U6TR
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
GD32F350G6U6TR
GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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