製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
封裝: Reel
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
寬度: 6.22 mm
品牌: Infineon Technologies
產(chǎn)品類型: MOSFET
子類別: MOSFETs
每件重量: 330 mg
IPD60R2K1CE
發(fā)布時間:2021/6/24 18:04:00 訪問次數(shù):143 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
上一篇：LI0603G121R-10
下一篇：IPD60R2K1CEAUMA1
同公司其他新聞- 09-26EC2-12NU通用 繼電器 DPDT（2 Form C） 通孔
- 09-26G5V-1-T90 DC5通用 繼電器 SPDT（1 Form C） 通孔
- 09-26AGQ200A24Z電信 繼電器 DPDT（2 Form C） 表面貼裝型
- 09-26G5V-1 DC12通用 繼電器 SPDT（1 Form C） 通孔
- 09-26AGN200S12Z
- 09-26EC2-3NU通用 繼電器 DPDT（2 Form C） 通孔
- 06-10STH12N120K5-2
- 06-10STY105NM50N
- 06-10STW45N65M5
- 06-10STM32F407VET6
- 06-10TXS0102DCUR
- 06-10TXS0102DCUR
