一般說(shuō)明：GD32F107RCT6
GD32F107RCT6器件屬于 GD32 MCU 系列的連接線。它是一個(gè) 32 位基于 Arm® Cortex®-M3 RISC 內(nèi)核的通用微控制器，具有增強(qiáng)連接性能和處理能力方面的最佳比率，降低功耗消費(fèi)和外設(shè)。 Cortex®-M3 是下一代處理器內(nèi)核與嵌套向量中斷控制器 (NVIC)、SysTick 計(jì)時(shí)器和高級(jí)調(diào)試支持。
GD32F107RCT6器件包含 Arm® Cortex®-M3 32 位處理器內(nèi)核在 108 MHz 頻率下，閃存訪問(wèn)零等待狀態(tài)以獲得最大效率。它提供高達(dá) 1 MB 的片上閃存和 96 KB SRAM 存儲(chǔ)器。范圍廣泛連接到兩條 APB 總線的增強(qiáng)型 I/O 和外圍設(shè)備。這些設(shè)備最多提供兩個(gè)12 位 ADC，最多兩個(gè) 12 位 DAC，最多四個(gè)通用 16 位定時(shí)器，兩個(gè)基本定時(shí)器外加一個(gè)PWM高級(jí)控制定時(shí)器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通訊接口：最多三個(gè) SPI，兩個(gè) I2C，三個(gè) USART，兩個(gè) UART，兩個(gè) I
2S，兩個(gè) CAN，一個(gè)USBFS 和以太網(wǎng) MAC。該器件采用 2.6 至 3.6 V 電源供電，溫度范圍為 –40 至 +85 °C溫度范圍。幾種省電模式提供了最大程度的靈活性喚醒延遲和功耗之間的優(yōu)化，一個(gè)特別重要的低功率應(yīng)用中的考慮。上述特性使GD32F107RCT6器件適用于廣泛的互連應(yīng)用，特別是在工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力監(jiān)控和報(bào)警系統(tǒng)、消費(fèi)類和手持設(shè)備、POS、車載 GPS、LED顯示屏等
功能說(shuō)明：GD32F107RCT6
3.1. Arm® Cortex®-M3 內(nèi)核
Cortex®-M3 處理器是用于嵌入式系統(tǒng)的最新一代 Arm® 處理器。
它的開發(fā)目的是提供一個(gè)滿足 MCU 需求的低成本平臺(tái)
實(shí)施，具有減少的引腳數(shù)和低功耗，同時(shí)提供
出色的計(jì)算性能和對(duì)中斷的高級(jí)系統(tǒng)響應(yīng)。
32 位 Arm® Cortex®-M3 處理器內(nèi)核
高達(dá) 108 MHz 的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定時(shí)器
Cortex®-M3 處理器基于 ARMv7 架構(gòu)，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系統(tǒng)外圍設(shè)備也由
Cortex®-M3：
內(nèi)部總線矩陣連接 ICode 總線、DCode 總線、系統(tǒng)總線、Private
外設(shè)總線 (PPB) 和調(diào)試訪問(wèn) (AHB-AP)
嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
閃存補(bǔ)丁和斷點(diǎn) (FPB)
數(shù)據(jù)觀察點(diǎn)和跟蹤（DWT）
儀器跟蹤宏單元 (ITM)
內(nèi)存保護(hù)單元（MPU）
串行線 JTAG 調(diào)試端口 (SWJ-DP)
跟蹤端口接口單元 (TPIU)
3.2.片上存儲(chǔ)器
高達(dá) 1024 KB 的閃存
96 KB SRAM
Arm® Cortex®-M3 處理器采用哈佛架構(gòu)，可以使用獨(dú)立的
總線來(lái)獲取指令和加載/存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。最多 1024 KB 的內(nèi)部 Flash 和 96
KB 的內(nèi)部 SRAM 可用于存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)，兩者都在
具有零等待狀態(tài)的 CPU 時(shí)鐘速度。表2-3。GD32F107RCT6內(nèi)存映射顯示
GD32F107RCT6系列器件的內(nèi)存映射，包括代碼、SRAM、外設(shè)、
和其他預(yù)定義區(qū)域
3.3.時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理
內(nèi)部 8 MHz 工廠微調(diào) RC 和外部 3 至 25 MHz 晶振
內(nèi)部 40 KHz RC 校準(zhǔn)振蕩器和外部 32.768 KHz 晶體振蕩器
集成系統(tǒng)時(shí)鐘鎖相環(huán)
2.6 至 3.6 V 應(yīng)用電源和 I/O
電源監(jiān)控器：POR（上電復(fù)位）、PDR（掉電復(fù)位）和低電壓
檢測(cè)器 (LVD)
時(shí)鐘控制單元 (CCU) 提供了一系列振蕩器和時(shí)鐘功能。這些
包括高速內(nèi)部RC振蕩器和外部晶體振蕩器，高速和低速
兩種類型。幾個(gè)預(yù)分頻器允許配置 AHB 頻率、高速
APB (APB2) 和低速 APB (APB1) 域。 AHB的最大頻率
高速 APB 域?yàn)?108 MHz。低速 APB 域的最大允許頻率為 54 MHz。參見圖 2-5。GD32F107RCT6時(shí)鐘樹的詳細(xì)信息
時(shí)鐘樹。
復(fù)位控制單元 (RCU) 控制三種復(fù)位： 系統(tǒng)復(fù)位 復(fù)位處理器
核心和外圍 IP 組件。上電復(fù)位 (POR) 和掉電復(fù)位 (PDR)
始終處于活動(dòng)狀態(tài)，并確保從/降至 2.6 V 開始正常運(yùn)行。設(shè)備保持
當(dāng) VDD 低于指定閾值時(shí)處于復(fù)位模式。嵌入式低壓檢測(cè)器
(LVD) 監(jiān)控電源，將其與電壓閾值進(jìn)行比較并生成一個(gè)
中斷作為引導(dǎo) MCU 進(jìn)入安全狀態(tài)的警告消息。
供電方案：
VDD 范圍：2.6 到 3.6 V，I/O 和內(nèi)部穩(wěn)壓器的外部電源。
通過(guò) VDD 引腳從外部提供。
VSSA、VDDA 范圍：2.6 至3.6 V，用于 ADC、復(fù)位模塊、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必須分別連接到 VDD 和 VSS。
VBAT 范圍：1.8 至 3.6 V，RTC 電源，外部時(shí)鐘 32 kHz 振蕩器和
當(dāng) VDD 不存在時(shí)備份寄存器（通過(guò)電源開關(guān)）。
3.4. 啟動(dòng)模式
啟動(dòng)時(shí)，引導(dǎo)引腳用于選擇三個(gè)引導(dǎo)選項(xiàng)之一：
從主閃存啟動(dòng)（默認(rèn)）
從系統(tǒng)內(nèi)存啟動(dòng)
從片上 SRAM 啟動(dòng)
引導(dǎo)加載程序位于內(nèi)部引導(dǎo) ROM 存儲(chǔ)器（系統(tǒng)存儲(chǔ)器）中。 它用于
使用 USART0（PA9 和 PA10）、USART1（PD5 和 PD6）重新編程閃存，
設(shè)備模式下的 USBFS（PA9、PA11 和 PA12）。 它還可以用于傳輸和更新
閃存代碼、數(shù)據(jù)和向量表部分。 默認(rèn)情況下，從
選擇了 Flash 存儲(chǔ)器的 bank 0。 它還支持從閃存的 bank 1 啟動(dòng)
詳細(xì)參數(shù)：GD32F107RCT6
參數(shù)名稱參數(shù)值
生命周期活躍
訂貨包裝代碼 LQFP64
達(dá)到合規(guī)代碼未知
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 5.81
最大速度 (MHz) 108
內(nèi)存（字節(jié)） 閃存 256K
內(nèi)存（字節(jié)） SRAM 96K
I/O 高達(dá) 51
定時(shí)器 GPTM（32 位）
定時(shí)器 GPTM (16bit) 4
定時(shí)器高級(jí) TM (16bit) 1
Timer Basic TM (16bit) 2
定時(shí)器 SysTick (24 位) 1
定時(shí)器 WDG 2
定時(shí)器 RTC 1
連通性 USART
連接 I2C 1
連接 SPI 3
連接 USB 2 FS OTG
連接 I2S 2
連通性比較
連接運(yùn)算放大器
模擬接口 12 位 ADC 單元 (CH) 2(16)
模擬接口 12 位 DAC 單元 2
封裝 LQFP64
以下物料均有現(xiàn)貨庫(kù)存：GD32F107RCT6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
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GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
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GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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