一般說明：GD32F103RET6
GD32F103RET6器件是基于 Arm® 的 32 位通用微控制器Cortex®-M3 RISC 內(nèi)核在處理能力方面具有最佳比率，降低了功耗
消費(fèi)和外設(shè)。 Cortex®-M3 是下一代處理器內(nèi)核與嵌套向量中斷控制器 (NVIC)、SysTick 計(jì)時(shí)器和高級(jí)調(diào)試支持。
GD32F103RET6器件包含 Arm® Cortex®-M3 32 位處理器內(nèi)核，可運(yùn)行在 108 MHz 頻率下，閃存訪問零等待狀態(tài)以獲得最大效率。它提供高達(dá) 3 MB 的片上閃存和高達(dá) 96 KB 的 SRAM 存儲(chǔ)器。一個(gè)廣泛的連接到兩條 APB 總線的一系列增強(qiáng)型 I/O 和外圍設(shè)備。設(shè)備提供最多三個(gè) 12 位 ADC，最多兩個(gè) 12 位 DAC，最多十個(gè)通用 16 位定時(shí)器，兩個(gè)基本定時(shí)器加上兩個(gè)PWM高級(jí)定時(shí)器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口：多達(dá)三個(gè) SPI、兩個(gè) I2C、三個(gè) USART、兩個(gè) UART、兩個(gè) I2S、一個(gè) USBD、一個(gè) CAN 和一個(gè)數(shù)據(jù)輸出。該器件采用 2.6 至 3.6 V 電源供電，溫度范圍為 –40 至 +85 °C溫度范圍。幾種省電模式提供了最大程度的靈活性喚醒延遲和功耗之間的優(yōu)化，一個(gè)特別重要的低功率應(yīng)用中的考慮。上述特點(diǎn)使GD32F103RET6器件適用于廣泛的應(yīng)用，特別是在工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力監(jiān)控和報(bào)警系統(tǒng)等領(lǐng)域，消費(fèi)類和手持設(shè)備、POS、車載 GPS、可視對(duì)講、PC 外圍設(shè)備和
很快。
功能說明：GD32F103RET6
3.1. Arm® Cortex®-M3 內(nèi)核
Cortex®-M3 處理器是用于嵌入式系統(tǒng)的最新一代 Arm® 處理器。
它的開發(fā)目的是提供一個(gè)滿足 MCU 需求的低成本平臺(tái)
實(shí)施，具有減少的引腳數(shù)和低功耗，同時(shí)提供
出色的計(jì)算性能和對(duì)中斷的高級(jí)系統(tǒng)響應(yīng)。
32 位 Arm® Cortex®-M3 處理器內(nèi)核
高達(dá) 108 MHz 的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定時(shí)器
Cortex®-M3 處理器基于 ARMv7 架構(gòu)，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系統(tǒng)外圍設(shè)備也由
Cortex®-M3：GD32F103RET6
內(nèi)部總線矩陣連接 I-Code 總線、D-Code 總線、系統(tǒng)總線、Private
外設(shè)總線 (PPB) 和調(diào)試訪問。GD32F103RET6
∎ 嵌套向量中斷控制器 (NVIC)。
閃存補(bǔ)丁和斷點(diǎn) (FPB)。
∎ 數(shù)據(jù)觀察點(diǎn)和跟蹤 (DWT)。
儀器跟蹤宏單元 (ITM)。
嵌入式跟蹤宏單元 (ETM)。
串行線 JTAG 調(diào)試端口 (SWJ-DP)。
跟蹤端口接口單元（TPIU）。
內(nèi)存保護(hù)單元（MPU）。
3.2.片上存儲(chǔ)器GD32F103RET6
高達(dá) 3072 KB 的閃存
高達(dá) 96 KB 的 SRAM
Arm® Cortex®-M3 處理器采用哈佛架構(gòu)，可以使用獨(dú)立的
總線來獲取指令和加載/存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 3072 KB 內(nèi)部閃存和 96 KB
內(nèi)部 SRAM 最多可用于存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)，均在 CPU 上訪問（R/W）
時(shí)鐘速度為零等待狀態(tài)。表2-4。GD32F103RET6內(nèi)存映射顯示
GD32F103RET6系列器件的內(nèi)存映射，包括代碼、SRAM、外設(shè)和
其他預(yù)定義區(qū)域
3.3.時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理：GD32F103RET6
內(nèi)部 8 MHz 工廠微調(diào) RC 和外部 4 至 16 MHz 晶振
內(nèi)部 40 KHz RC 校準(zhǔn)振蕩器和外部 32.768 KHz 晶體振蕩器
集成系統(tǒng)時(shí)鐘鎖相環(huán)
2.6 至 3.6 V 應(yīng)用電源和 I/O
電源監(jiān)控器：POR（上電復(fù)位）、PDR（掉電復(fù)位）和低電壓
檢測(cè)器 (LVD)GD32F103RET6
時(shí)鐘控制單元提供一系列頻率和時(shí)鐘功能。這些包括一個(gè)
內(nèi)部 8M RC 振蕩器（IRC8M），一個(gè)高速晶振（HXTAL），一個(gè)低速晶振
內(nèi)部 40K RC 振蕩器（IRC40K）、低速晶體振蕩器（LXTAL）、鎖相器
環(huán)路 (PLL)、HXTAL 時(shí)鐘監(jiān)視器、時(shí)鐘預(yù)分頻器、時(shí)鐘多路復(fù)用器和時(shí)鐘門控
電路。 AHB、APB2 和 APB1 域的頻率可以由每個(gè)域配置
預(yù)分頻器。 AHB、APB2 和 APB1 域的最大頻率為 108 MHz/108
兆赫/54兆赫。參見圖 2-8。GD32F103RET6時(shí)鐘樹了解詳情。
GD32F103RET6復(fù)位控制包括對(duì)三種復(fù)位的控制：電源復(fù)位、系統(tǒng)復(fù)位
重置和備份域重置。系統(tǒng)復(fù)位復(fù)位處理器內(nèi)核和外設(shè)
除 SW-DP 控制器和備份域外的 IP 組件。上電復(fù)位
(POR) 和掉電復(fù)位 (PDR) 始終處于活動(dòng)狀態(tài)，并確保正常運(yùn)行
從/降至 2.6 V。當(dāng) VDD 低于指定值時(shí)，器件保持復(fù)位模式
臨界點(diǎn)。嵌入式低電壓檢測(cè)器 (LVD) 監(jiān)控電源，比較
它達(dá)到電壓閾值，并產(chǎn)生一個(gè)中斷作為警告信息，用于引導(dǎo)
單片機(jī)進(jìn)入安全。
供電方案：GD32F103RET6
VDD 范圍：2.6 至 3.6 V，外部電源用于 I/O 和內(nèi)部調(diào)節(jié)器。
通過 VDD 引腳從外部提供。
VSSA、VDDA 范圍：2.6 至 3.6 V，ADC 的外部模擬電源、復(fù)位模塊、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必須分別連接到 VDD 和 VSS。
VBAT 范圍：1.8 至 3.6 V，RTC 電源，外部時(shí)鐘 32 KHz 振蕩器和
當(dāng) VDD 不存在時(shí)備份寄存器（通過電源開關(guān)）。
3.4. 啟動(dòng)模式：GD32F103RET6
啟動(dòng)時(shí)，引導(dǎo)引腳用于選擇三個(gè)引導(dǎo)選項(xiàng)之一：
從主閃存啟動(dòng)（默認(rèn)）
從系統(tǒng)內(nèi)存啟動(dòng)
從片上 SRAM 啟動(dòng)
引導(dǎo)加載程序位于內(nèi)部引導(dǎo) ROM 存儲(chǔ)器（系統(tǒng)存儲(chǔ)器）中。 它用于
使用 USART0（PA9 和 PA10）重新編程閃存，如果設(shè)備是
GD32F103RET6F/G/I/K、USART1（PA2 和 PA3）也可用于引導(dǎo)功能。 它也可以用于傳輸和更新閃存代碼、數(shù)據(jù)和向量表部分。
默認(rèn)情況下，選擇從閃存的 bank 0 啟動(dòng)。 它還支持開機(jī)通過在選項(xiàng)字節(jié)中設(shè)置一個(gè)位，從閃存的 bank 1 中獲取。
3.5.省電模式GD32F103RET6
MCU支持三種省電模式，實(shí)現(xiàn)更低的功耗
消費(fèi)。它們是睡眠模式、深度睡眠模式和待機(jī)模式。這些操作
模式降低功耗并使應(yīng)用程序達(dá)到最佳平衡
CPU 運(yùn)行時(shí)間、速度和功耗之間的關(guān)系。
睡眠模式
在睡眠模式下，只有 Cortex®-M3 的時(shí)鐘是關(guān)閉的。所有外圍設(shè)備繼續(xù)運(yùn)行并且
任何中斷/事件都可以喚醒系統(tǒng)。
深度睡眠模式GD32F103RET6
在深度睡眠模式下，1.2V 域中的所有時(shí)鐘都關(guān)閉，并且 IRC8M、HXTAL 和
PLL 被禁用。只保留 SRAM 和寄存器的內(nèi)容。任何中斷
或來自 EXTI 線路的喚醒事件可以將系統(tǒng)從深度睡眠模式喚醒
包括16條外線、RTC報(bào)警、LVD輸出、USB喚醒和以太網(wǎng)
醒來。退出深度睡眠模式時(shí)，選擇 IRC8M 作為系統(tǒng)時(shí)鐘。
待機(jī)模式GD32F103RET6
在待機(jī)模式下，整個(gè) 1.2V 域斷電，LDO 關(guān)閉，所有的
IRC8M、HXTAL 和 PLL 被禁用。 SRAM 和寄存器的內(nèi)容（除了
備份寄存器）丟失。待機(jī)模式有四個(gè)喚醒源，
包括來自 NRST 引腳的外部復(fù)位、RTC 警報(bào)、FWDGT 復(fù)位和
WKUP 引腳上的上升沿。
3.6.模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)GD32F103RET6
12 位 SAR ADC
高達(dá) 1 MSPS 的 12 位分辨率
模擬輸入信號(hào)電壓范圍：VSSA 至 VDDA（2.6 至 3.6 V）
溫度傳感器
器件中最多集成了三個(gè) 12 位多通道 ADC。每個(gè)總共有多達(dá)
21 個(gè)多路復(fù)用外部通道。模擬看門狗模塊可用于檢測(cè)
通道，需要保持在特定的閾值窗口內(nèi)。一個(gè)可配置的
模擬輸入的通道管理塊也可用于在GD32F103RET6
單一、連續(xù)、掃描或不連續(xù)模式。
ADC 可由通用 0 級(jí)定時(shí)器 (TIMERx) 生成的事件觸發(fā)
或具有內(nèi)部連接的高級(jí)定時(shí)器（TIMER0 和 TIMER7）。氣溫
傳感器產(chǎn)生隨溫度線性變化的電壓。模擬電源電壓
VDDA 可在 2.6 V 至 3.6 V 之間變化。溫度傳感器的輸出電壓在內(nèi)部
連接到 ADC_IN16 輸入通道。GD32F103RET6
為確保 ADC 和 DAC 的高精度，ADC/DAC 獨(dú)立外部參考
電壓應(yīng)連接到 VREF+/VREF- 引腳。根據(jù)封裝的不同，VREF+
引腳可以連接到 VDDA 引腳，或外部參考電壓，VREF- 引腳必須連接
到 VSSA 引腳。 VREF+ 引腳僅適用于不少于 100 引腳的封裝。在小于
100 引腳封裝，VREF+ 引腳不可用，它在內(nèi)部連接到 VDDA。這
VREF- 引腳在內(nèi)部連接到 VSSA
詳細(xì)參數(shù)：GD32F103RET6
參數(shù)名稱 參數(shù)值
生命周期聯(lián)系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
訂貨包裝代碼 LQFP64
包裝說明 LQFP-64
達(dá)到合規(guī)代碼未知
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 5.8
最大速度 (MHz) 108
內(nèi)存（字節(jié)） 閃存 512K
內(nèi)存（字節(jié)） SRAM 64K
I/O 高達(dá) 51GD32F103RET6
定時(shí)器 GPTM（32 位）
定時(shí)器 GPTM (16bit) 4
定時(shí)器高級(jí) TM (16bit) 2
Timer Basic TM (16bit) 2
定時(shí)器 SysTick (24 位) 1
定時(shí)器 WDG 2
定時(shí)器 RTC 1GD32F103RET6
連通性 USART
連接 I2C 2
連接 SPI 3
連接 USB 2 FS 1
連接 I2S 2
連通性比較
連接運(yùn)算放大器
模擬接口 12 位 ADC 單元 (CH) 3(16)
模擬接口 12 位 DAC 單元 2
封裝 LQFP64
以下物料均有現(xiàn)貨庫(kù)存：GD32F103RET6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
GD32F350G6U6TR
GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
NRF52832-QFAA-R
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GD32F103RET6
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W25Q128JWPIQ
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W25Q256FVEIG
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W25Q32JVZPIQ
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NUC029LAN
NUC972DF61YC
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MS51XB9AE
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MINI58ZDE
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RTL8370N-VB-CG
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RTL8761BUV-CG
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ALC256-CG
ALC4050-VA1-CG
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