SIHD240N60E-GE3

製造商: Vishay
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds On - 漏-源電阻: 240 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 : 3 V
Qg - 閘極充電: 23 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 78 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: E
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
品牌: Vishay Semiconductors
互導(dǎo) - 最小值: 4 S
下降時(shí)間: 14 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 14 ns
原廠包裝數(shù)量: 3000
子類(lèi)別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 26 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 15 ns
每件重量: 330 mg