BSZ037N06LS5ATMA1

BSZ037N06LS5ATMA1製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On - 漏-源電阻: 4.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.7 V
Qg - 閘極充電: 35 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 69 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
系列: OptiMOS
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: Infineon Technologies
互導(dǎo) - 最小值: 33 S
下降時(shí)間: 5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 5 ns
原廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 26 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 9 ns
零件號(hào)別名: BSZ037N06LS5 SP002035218
每件重量: 38.760 mg