IGT60R190D1SATMA1
製造商:
Infineon
產(chǎn)品類型:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)資料
技術(shù):
GaN
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝/外殼:
PG-HSOF-8
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù):
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
600 V
Id - C連續(xù)漏極電流:
12.5 A
Rds On - 漏-源電阻:
190 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 10 V, + 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 :
900 mV
Qg - 閘極充電:
3.2 nC
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 150 C
Pd - 功率消耗 :
55.5 W
通道模式:
Enhancement
公司名稱:
CoolGaN
封裝:
Cut Tape
封裝:
Reel
配置:
Single
產(chǎn)品:
CoolGaN
晶體管類型:
1 N-Channel
品牌:
Infineon Technologies
下降時(shí)間:
12 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
5 ns
原廠包裝數(shù)量:
2000
子類別:
MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間:
12 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間:
11 ns
零件號(hào)別名:
IGT60R190D1S SP001701702
每件重量:
745 mg
IGT60R190D1SATMA1
發(fā)布時(shí)間:2021/7/22 10:12:00 訪問(wèn)次數(shù):118 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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