OC5721 采用 SOT23-6 封裝
首先要考慮MOS管的耐壓,一般要求MOS管的耐壓高過最大輸出電壓的 1.5 倍以上。其
次,根據(jù)驅(qū)動LED電流的大小以及電感最大峰值電流來選擇MOS管的IDS電流。一般MOS管的
IDS最大電流應(yīng)是電感最大峰值電流的 2 倍以上。此外,MOS管的導(dǎo)通電阻RDSON要小,RDSON
越小,損耗在MOS管上的功率也越小,系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率就越高。
另外,高壓應(yīng)用時應(yīng)注意選擇閾值電壓在 2.5V以內(nèi)的MOS管。芯片的工作電源電壓決定
了DRV驅(qū)動電壓。通常芯片的驅(qū)動電壓為 5.8V,所以應(yīng)保證MOS管在VGS電壓等于 5.8V時導(dǎo)
通內(nèi)阻足夠低。