NCEB301Q_NCE15P25JI導(dǎo)讀
今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護板可替代AO3401等MOS管的國產(chǎn)場效應(yīng)管：NCE3401。
日前發(fā)布的電感器特別適合用于2 MHz以下DC/DC 轉(zhuǎn)換器能量存儲，以及電感器自諧振頻率（SRF）以下大電流濾波。該器件的應(yīng)用包括筆記本電腦、臺式電腦以及服務(wù)器；小型大電流電源；POL轉(zhuǎn)換器；電池供電設(shè)備；分布式電源系統(tǒng)和 FPGA。
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NCE2012
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。
NCE6080K匹配KIA產(chǎn)品3306，KIA MOS管3306共有A和B兩個規(guī)格書。下文會介紹3306和NCE6080K兩個MOS管具體參數(shù)、封裝與規(guī)格書等。
Felix Zandman經(jīng)歷了大屠殺，失去了至親，在漆黑的地下、在死亡陰霾中生活了17個月，他卻并未因此一蹶不振，他在苦難中堅強，以他的個人才華創(chuàng)辦了Vishay，在電子元器件行業(yè)乃至科技發(fā)展史上留下濃重的一筆。2004年 財富雜志選擇Vishay作為美國較令人欽佩的公司之一。今天Felix Zandman博士寫的物理書在很多大學作為基礎(chǔ)教材使用，他的自傳被譯成中文和其他很多種語言。。
NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
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NCEP18N10AG
NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS 。
NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。
NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。
Vishay的MELF電阻生產(chǎn)運用先進的真空濺射工藝，在超高真空室內(nèi)，在十分光滑的鋁襯底上沉積一層具有極高微觀結(jié)構(gòu)質(zhì)量的專有鎳鉻合金。憑借在相同焊盤尺寸下比扁平片式電阻大3.14倍的表面積，這些器件可產(chǎn)生高很多的縱橫比，進而導(dǎo)致沿著電阻的場強非常低。與厚膜電阻相比，通�？商峁┘s-40 dB V/Hz的頻譜密度改善，這個數(shù)字在薄膜電阻情況下約為-10 dB V/Hz，如圖2所示。這種精密內(nèi)部結(jié)構(gòu)為低噪聲性能奠定了理想基礎(chǔ)，而電阻的圓柱形狀又進一步增強了低噪聲性能。這兩個因素使Vishay的MELF電阻成為具有低噪聲要求的高端音頻應(yīng)用的選擇。要知道，局部電場強度是產(chǎn)生電流噪聲的主要來源。
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NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
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