NCE30H11G_NCEP40ND80G導(dǎo)讀
除了上述適用于電動(dòng)車(chē)控制器的NCE80H12以外，南山電子還提供風(fēng)華阻容感，長(zhǎng)晶二三極管MOS管，愛(ài)普生有源無(wú)源晶振等。
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出溫度系數(shù)（TCR）低至 2 ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，擴(kuò)充其TNPU e3系列汽車(chē)級(jí)高精度薄膜扁平片式電阻。
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SUD50P06-15-GE3
。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。
Vishay Draloric TNPU e3系列電阻具有TNPW e3產(chǎn)品公認(rèn)的可靠性并具有更高的精度，TCR低，公差不大于 0.02 %，具有優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性—例如，在額定功率P70條件下，1,000小時(shí)最大阻值變化率≤ 0.05 %。這種獨(dú)特技術(shù)特性使這款經(jīng)過(guò)AEC Q200認(rèn)證的電阻非常適合用于測(cè)試測(cè)量、汽車(chē)、工業(yè)、醫(yī)療和通信設(shè)備中運(yùn)算放大器和傳感器檢測(cè)電路等應(yīng)用。
該公司創(chuàng)始人Felix Zandman是一位科學(xué)家、發(fā)明家和企業(yè)家，擁有71項(xiàng)專(zhuān)利，寫(xiě)過(guò)四本書(shū)和許多論文，曾獲得美國(guó)電子工業(yè)榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)拢▏?guó)榮譽(yù)勛章等眾多獎(jiǎng)項(xiàng)。Vishay由Felix Zandman博士在1962年創(chuàng)立，以他自己的4千美元積蓄和其表兄Alfred P. Slaner的資助起家，不斷發(fā)展成為紐約證券交易所上市的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”。。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
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NCE60P20F
這兩個(gè)因素使Vishay的MELF電阻成為具有低噪聲要求的高端音頻應(yīng)用的選擇。Vishay的MELF電阻生產(chǎn)運(yùn)用先進(jìn)的真空濺射工藝，在超高真空室內(nèi)，在十分光滑的鋁襯底上沉積一層具有極高微觀結(jié)構(gòu)質(zhì)量的專(zhuān)有鎳鉻合金。這種精密內(nèi)部結(jié)構(gòu)為低噪聲性能奠定了理想基礎(chǔ)，而電阻的圓柱形狀又進(jìn)一步增強(qiáng)了低噪聲性能。憑借在相同焊盤(pán)尺寸下比扁平片式電阻大3.14倍的表面積，這些器件可產(chǎn)生高很多的縱橫比，進(jìn)而導(dǎo)致沿著電阻的場(chǎng)強(qiáng)非常低。要知道，局部電場(chǎng)強(qiáng)度是產(chǎn)生電流噪聲的主要來(lái)源。與厚膜電阻相比，通�？商峁┘s-40 dB V/Hz的頻譜密度改善，這個(gè)數(shù)字在薄膜電阻情況下約為-10 dB V/Hz，如圖2所示。
對(duì)于Vantam的模擬信號(hào)通道(包括低通濾波器[LPF]、負(fù)反饋電路[NFB]、前置放大器IC、IV轉(zhuǎn)換器及頭戴耳機(jī)放大電路)的微調(diào)，VentureCraft以前依靠含碳的厚膜片式電阻。。去年，當(dāng)VentureCraft得知Vishay的薄膜MELF電阻(如圖1所示)能夠提供出色的聲音質(zhì)量后，開(kāi)始指定使用Vishay產(chǎn)品。過(guò)去幾年中，由于專(zhuān)注于提供音頻性能差異化，該公司轉(zhuǎn)向薄膜技術(shù)。
NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。
NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。
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NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。
鋰電池主要由兩大塊構(gòu)成，電芯和鋰電池保護(hù)板PCM。
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